品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta）、50A（Tc） 最大功耗: 1.9W（Ta）、31W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥70.51687 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70.51687 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH DPAK | ¥23.00345 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.00345 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 104W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.08500 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.08500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）、30A（Tc） 最大功耗: 2.3W（Ta）、31W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.44279 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.44279 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta）、41A（Tc） 最大功耗: 2W（Ta），25W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥132.26984 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥132.26984 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Ta）、68A（Tc） 最大功耗: 5.7W (Ta), 35.5W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥22.30813 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.30813 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Ta）、32A（Tc） 最大功耗: 6W (Ta), 25W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.99760 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.99760 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Ta）、32A（Tc） 最大功耗: 4.1W (Ta), 41W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥39.04600 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.04600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Ta）、32A（Tc） 最大功耗: 4.1W (Ta), 41W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.50556 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.50556 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta）、40A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、25W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.27235 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.27235 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta）、40A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、25W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.70165 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.70165 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH TO251A | ¥53.01803 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.01803 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 278W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥41.37145 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.37145 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 278W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.44426 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.44426 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 30V | ¥191.03873 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥191.03873 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 1350 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥19.18854 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,605.25032 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 278 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥31.36176 | 343 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.36176 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.16880 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,840.51128 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 1350 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥34.18649 | 192 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.18649 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 333 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.38181 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,891.63440 | 添加到BOM 立即询价 |