品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥46.06484 | 170 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.06484 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 260 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.09812 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,623.54760 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.15490 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,637.17576 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 163瓦 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.00681 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.00681 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 30瓦 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥53.39176 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.39176 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 208瓦 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.05235 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,332.56376 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 227 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥18.56384 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,455.32208 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥18.71985 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,492.76496 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC | ¥24.26372 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.26372 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 278W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.41769 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.41769 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 463W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥68.47438 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68.47438 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH TO-252 | ¥46.39802 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.39802 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH TO-252 | ¥80.83076 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥80.83076 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH TO-252 | ¥6.35927 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.35927 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 3.2W（Ta）、50W（Tc） 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.56207 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.56207 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET DFN 5X6 | ¥13.08068 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.08068 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、23W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.43122 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.43122 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、23W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.91069 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.91069 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-251B 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥28.69637 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.69637 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 8SOIC | ¥4.84492 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.84492 | 添加到BOM 立即询价 |