Alpha and Omega Semiconductor,Inc.(简称AOS)是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司,包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本,力求与众不同,其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求,包括便携式计算机、平板电视、电池组、,便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A(Ta)、58A(Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 73W (Tc) 供应商设备包装: UltraSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.36511 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,095.31800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta), 23A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta),41.5W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.60914 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,609.13700 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.07123 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,213.70200 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta), 20A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、100W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.61392 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,034.79250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Ta), 85A (Tc) 最大功耗: 7.4W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.69586 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,087.58600 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta), 28A (Tc) 最大功耗: 1.9W(Ta)、75W(Tc) 供应商设备包装: UltraSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.61392 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,841.75100 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta), 17A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta),23.5W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.08717 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,087.16800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 178W(Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.61392 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,648.70950 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 178W(Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.61392 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,648.70950 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.80593 | 56 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.80593 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 30V 8DFN | ¥2.32497 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,624.85500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 178W(Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.61392 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,648.70950 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 178W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.61392 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,034.79250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.09899 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,296.97600 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 56.8W (Tc) 供应商设备包装: TO-251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.42088 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21,683.50400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 56.8W (Tc) 供应商设备包装: TO-251-3 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.33359 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,334.36000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta), 32A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 46W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.33359 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,000.77000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.5A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.43218 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,580.43750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.77394 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,321.82000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A (Ta), 85A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 119W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.44318 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,329.55200 | 添加到BOM 立即询价 |