Alpha and Omega Semiconductor,Inc.(简称AOS)是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司,包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本,力求与众不同,其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求,包括便携式计算机、平板电视、电池组、,便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta), 26A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),35W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.81856 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,455.67100 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.82971 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,489.13300 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Ta)、70A(Tc) 最大功耗: 5.6W (Ta), 35W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.16776 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,503.26500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH | ¥3.16776 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,503.26500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 92A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 92.5W (Tc) 供应商设备包装: UltraSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.55168 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,655.04900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、85A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta),83W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.68084 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,042.52600 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、30A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.08593 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,429.64000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta), 27A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.85202 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,852.01900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.85202 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,852.01900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 192W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.21863 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,218.62700 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 38.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.21863 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,218.62700 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 100V 37A TO252 | ¥3.19006 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,975.15750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.11142 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,334.26900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.11142 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,334.26900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta), 31.5A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta),83.3W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(D2Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.90460 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,923.68160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 56W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.26085 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,782.55900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta)、100A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、268W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.62576 | 9560 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,625.76000 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 184W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.92372 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,923.72300 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 46W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.49832 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,494.96300 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.12374 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,371.20800 | 添加到BOM 立即询价 |