AO4405E

Name: AO4405E
Brand: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
SKU: 7146338-AO4405E
Price: 1.123736 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta）供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 3000

库存: 0
单价: ¥1.12374
数量:
- +
总计: ¥3,371.21

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
场效应管类型 P-通道
部件状态上次购买
制造厂商阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
供应商设备包装 8-SOIC
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Ta)
最大功耗 2.5W（Ta）
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16 nC @ 10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 495 pF @ 15 V
导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 6A, 10V

AO4405E 产品详情

AO4405E采用先进的沟槽技术，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。该设备适合用作负载开关或PWM应用。

产品概要
VDS-30伏
ID（VGS=-10V时）-6A
RDS（开启）（VGS=-10V时）<50mΩ
RDS（开启）（VGS=-4.5V时）<85mΩ

100%UIS测试
100%Rg测试

AO4405E 相关器件

型号	制造商	描述	价格
AO4407C		类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A 产地：重庆	¥1.54346
AO4882-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,6A 4882	¥1.73742
AO4616(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.14847
AO4435-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,7A	¥1.1367
AO4410-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A	¥0.98694
AO4606	广东友台半导体 (UMW)	类型：1个N沟道和1个P沟道	¥1.6422
AO4435	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.46162
AO4407-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A	¥1.17054
AO4411(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.86192
AO4419(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.69013

AO4405E所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO4405E 由阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO4405E价格参考￥1.123736，你可以下载 AO4405E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO4405E规格参数、现货库存、封装信息等信息！