AO4419(UMW)
- 描述:暂无
- 品牌: 广东友台半导体 (UMW)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.69012 | 0.69012 |
| 10+ | 0.55602 | 5.56023 |
| 30+ | 0.48897 | 14.66925 |
| 100+ | 0.43868 | 43.86880 |
| 600+ | 0.39845 | 239.07240 |
| 1200+ | 0.37834 | 454.00800 |
- 库存: 14990
- 单价: ¥0.69013
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.69
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AO4419(UMW) 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | AO4407C | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A 产地：重庆 | ¥1.54346 | |
 | AO4882-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,6A 4882 | ¥1.73742 |
| AO4616(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.14847 |
| AO4435-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,7A | ¥1.1367 |
| AO4410-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A | ¥0.98694 |
 | AO4606 | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：1个N沟道和1个P沟道 | ¥1.6422 |
| AO4435 | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.46162 |
| AO4407-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A | ¥1.17054 |
| AO4411(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.86192 |
| AO4419(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.69013 |
AO4419(UMW)所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO4419(UMW) 由 广东友台半导体 (UMW) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO4419(UMW)价格参考￥0.690125，你可以下载 AO4419(UMW)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO4419(UMW)规格参数、现货库存、封装信息等信息！
广东友台半导体 (UMW)
广东友台半导体有限公司（简称UMW），总部位于中国深圳，生产基地位于重庆大足区。公司是一家集成电路及分立器件芯片研发设计、封装制造、产品销售为一体的高新技术企业。生产基地面积达12000余平方米，生产和...
