AO4435-HXY
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,7A
- 品牌: 华轩阳电子 (HXY MOSFET)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.13670 | 1.13670 |
| 10+ | 0.91600 | 9.16002 |
| 30+ | 0.82141 | 24.64251 |
| 100+ | 0.65158 | 65.15860 |
| 600+ | 0.59903 | 359.42340 |
| 1200+ | 0.56751 | 681.01200 |
- 库存: 20580
- 单价: ¥1.13670
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.14
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 9A
- 功率(Pd) 2.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@10V,7A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
- 输入电容(Ciss@Vds) 1.175nF@25V
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AO4435-HXY所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO4435-HXY 由 华轩阳电子 (HXY MOSFET) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO4435-HXY价格参考￥1.136701，你可以下载 AO4435-HXY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO4435-HXY规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华轩阳电子 (HXY MOSFET)
华轩阳电子是一家持续研发、销售——高效率，高功率密度，高性能的功率器件生产厂家。产品主要是二极管Diode、三极管Transistor，瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制...
