Alpha and Omega Semiconductor,Inc.(简称AOS)是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司,包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本,力求与众不同,其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求,包括便携式计算机、平板电视、电池组、,便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.27201 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,680.01750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.98360 | 53 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.98360 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Ta) 最大功耗: 1.2W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.13054 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,391.63200 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 100V 70A TO252 | ¥4.28316 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,707.90250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Ta), 70A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 138W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.52855 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,585.65300 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 56.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.42978 | 59 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.42978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 312W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.83618 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,836.17500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.06785 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,169.62000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、34A(Tc) 最大功耗: 4.1W (Ta), 31W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.06792 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,203.76000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 178W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(D2Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.87521 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,700.17120 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.6A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-DFN (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.07944 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,238.31100 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、140A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、268W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(D2Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.87521 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,700.17120 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta)、11A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、45W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.07944 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,198.59250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.07944 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,238.31100 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(D2Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.90277 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,522.21840 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta), 32A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.93146 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,931.45500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、105A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、333W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(D2Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.93678 | 15 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.93678 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 198W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(D2Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.96274 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,570.18880 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.13716 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,411.48900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 5X6 8DFN | ¥2.13716 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,411.48900 | 添加到BOM 立即询价 |