品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、62.5W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.70789 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.70789 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc） 最大功耗: 156W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.22410 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.22410 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 3-DFN（1.0 x 0.60） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.48441 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,844.05000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 3-DFN（1.0 x 0.60） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.50990 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,099.00000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A（Ta）、50A（Tc） 最大功耗: 4.1W (Ta), 54W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.69148 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.69148 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Ta）、50A（Tc） 最大功耗: 6.2W (Ta), 26W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.84006 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,520.17700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta), 70A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 31W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥24.82866 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.82866 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26.5A（Ta）、60A（Tc） 最大功耗: 6.2W (Ta), 31W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.92929 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,787.87300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、35A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.94081 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,852.01750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、30A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、31W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.94472 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,723.59500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Tc） 最大功耗: 27.5W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.62896 | 19871 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,144.82000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Ta）、60A（Tc） 最大功耗: 6.2W (Ta), 31W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.96391 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,891.73600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta), 12A (Tc) 最大功耗: 2.1W（Ta）、20W（Tc） 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.98702 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,954.55950 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.99853 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,995.59900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 57W (Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.99853 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,994.86550 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 57W (Tc) 供应商设备包装: TO-251B 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.99853 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,994.86550 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 56.8W (Tc) 供应商设备包装: TO-251-3 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.99861 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,994.42400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.29938 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,898.12800 | 立即购买 加入购物车 | |
| | MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC | ¥1.38310 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,149.31200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、21W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.43250 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,581.25250 | 添加到BOM 立即询价 |