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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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R1LV0816ASD-5SI#B0
R1LV0816ASD-5SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II

¥175.85761

918

5-7 工作日

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合计: ¥2,286.14896

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UPD44646363AF5-E22-FQ1
UPD44646363AF5-E22-FQ1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥518.30192

133

5-7 工作日

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合计: ¥2,591.50962

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R1LV0816ASA-7SI#B0
R1LV0816ASA-7SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥175.85761

396

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,286.14896

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UPD44645182AF5-E40-FQ1
UPD44645182AF5-E40-FQ1
STANDARD SRAM, 4MX18, 0.45NS

¥518.30192

119

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

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UPD44647366AF5-E22-FQ1-A
UPD44647366AF5-E22-FQ1-A
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥518.30192

109

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

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RMLV0414EGSB-4S2#AA1
RMLV0414EGSB-4S2#AA1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥88.72553

0

5-7 工作日

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合计: ¥88.72553

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UPD44645094AF5-E40-FQ1-A
UPD44645094AF5-E40-FQ1-A
STANDARD SRAM, 8MX9, 0.45NS

¥518.30192

94

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

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UPD44645184AF5-E40-FQ1
UPD44645184AF5-E40-FQ1
72-MBIT QDR II SRAM (4M X 18 BIT

¥518.30192

93

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

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UPD44646183AF5-E25-FQ1-A
UPD44646183AF5-E25-FQ1-A
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥518.30192

74

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

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UPD44644182AF5-E40-FQ1-A
UPD44644182AF5-E40-FQ1-A
DDR SRAM, 4MX18, 0.45NS

¥518.30192

51

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

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R1LV0816ASB-5SK#B0
R1LV0816ASB-5SK#B0
8M SRAM (512K X 16-BIT)

¥184.76638

15460

5-7 工作日

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合计: ¥2,217.19655

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HN27C4001G15
HN27C4001G15
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-CDIP

¥191.57471

1282

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,298.89646

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HN27C4001G10
HN27C4001G10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-CDIP

¥191.57471

926

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,298.89646

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M5M5V108DVP-70H#BT
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO

¥33.60706

6786

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.45864

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R1LP0108ESN-7SR#B0
R1LP0108ESN-7SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥33.60706

193

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.45864

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UPD46365184BF1-E40-EQ1-A
UPD46365184BF1-E40-EQ1-A
QDR SRAM, 2MX18, 0.45NS

¥435.66044

1593

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.30218

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UPD46365092BF1-E40Y-EQ1-A
UPD46365092BF1-E40Y-EQ1-A
QDR SRAM, 4MX9, 0.45NS

¥435.66044

1080

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.30218

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AT25XE041B-MAHN-T
AT25XE041B-MAHN-T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 时钟频率: 85 MHz 供应商设备包装: 8-UDFN (2x3)

¥9.74243

49731

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UPD46365364BF1-E40-EQ1-A
UPD46365364BF1-E40-EQ1-A
QDR SRAM, 1MX36, 0.45NS

¥435.66044

921

5-7 工作日

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合计: ¥2,178.30218

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R1LV0108ESP-5SI#B0
R1LV0108ESP-5SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥36.57665

93

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