Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II | ¥175.85761 | 918 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,286.14896 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15) | ¥518.30192 | 133 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,591.50962 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥175.85761 | 396 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,286.14896 | 添加到BOM 立即询价 | ||
STANDARD SRAM, 4MX18, 0.45NS | ¥518.30192 | 119 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,591.50962 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15) | ¥518.30192 | 109 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,591.50962 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥88.72553 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥88.72553 | 添加到BOM 立即询价 | ||
STANDARD SRAM, 8MX9, 0.45NS | ¥518.30192 | 94 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,591.50962 | 添加到BOM 立即询价 | ||
72-MBIT QDR II SRAM (4M X 18 BIT | ¥518.30192 | 93 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,591.50962 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15) | ¥518.30192 | 74 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,591.50962 | 添加到BOM 立即询价 | ||
DDR SRAM, 4MX18, 0.45NS | ¥518.30192 | 51 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,591.50962 | 添加到BOM 立即询价 | ||
8M SRAM (512K X 16-BIT) | ¥184.76638 | 15460 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,217.19655 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-CDIP | ¥191.57471 | 1282 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,298.89646 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-CDIP | ¥191.57471 | 926 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,298.89646 | 添加到BOM 立即询价 | ||
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO | ¥33.60706 | 6786 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.45864 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP | ¥33.60706 | 193 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.45864 | 添加到BOM 立即询价 | ||
QDR SRAM, 2MX18, 0.45NS | ¥435.66044 | 1593 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.30218 | 添加到BOM 立即询价 | ||
QDR SRAM, 4MX9, 0.45NS | ¥435.66044 | 1080 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.30218 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 时钟频率: 85 MHz 供应商设备包装: 8-UDFN (2x3) | ¥9.74243 | 49731 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.74243 | 立即购买 加入购物车 | ||
QDR SRAM, 1MX36, 0.45NS | ¥435.66044 | 921 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.30218 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP | ¥36.57665 | 93 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.59870 | 添加到BOM 立即询价 |