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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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品牌型号
描述
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操作
M5M5V108DKV-70HIST
M5M5V108DKV-70HIST
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO

¥36.57665

3935

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,194.59870

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HN58V257AT12SRE
HN58V257AT12SRE
256K SERIAL EEPROM

¥125.73674

92

5-7 工作日

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合计: ¥2,263.26139

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7132LA25JGI
7132LA25JGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥177.52348

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥177.52348

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71321LA20JG
71321LA20JG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥181.79679

0

5-7 工作日

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合计: ¥181.79679

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70V24L15PFGI
70V24L15PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP

¥401.61881

0

5-7 工作日

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合计: ¥401.61881

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UPD44164362BF5-E40-EQ3
UPD44164362BF5-E40-EQ3
DDR SRAM, 512KX36, 0.45NS

¥269.21859

21564

5-7 工作日

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合计: ¥2,422.96734

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UPD44165362BF5-E40-EQ3
UPD44165362BF5-E40-EQ3
QDR SRAM, 512KX36, 0.45NS

¥269.21859

17103

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,422.96734

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UPD44164182BF5-E40-EQ3
UPD44164182BF5-E40-EQ3
DDR SRAM, 1MX18, 0.45NS

¥269.21859

8729

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,422.96734

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R1EX24002ASAS0A#U0
R1EX24002ASAS0A#U0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOP

¥3.91117

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.91117

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R1RP0416DSB-2PR#D0
R1RP0416DSB-2PR#D0
4 M (256K X 16-BIT) SRAM

¥151.01447

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,567.24591

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UPD44165182BF5-E33-EQ3
UPD44165182BF5-E33-EQ3
QDR SRAM, 1MX18, 0.45NS

¥269.21859

140

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,422.96734

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R1Q2A7209ABG-40IB0
R1Q2A7209ABG-40IB0
STANDARD SRAM, 8MX9, 0.45NS

¥171.22216

64

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,225.88803

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R1QDA7236ABG-19IB0
R1QDA7236ABG-19IB0
STANDARD SRAM, 2MX36, 0.45NS

¥171.94645

85

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,235.30380

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R1RP0416DSB-2LR#D0
R1RP0416DSB-2LR#D0
STANDARD SRAM, 256KX16, 12NS

¥175.13332

13

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,276.73319

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AT25DF041B-SSHN-T
AT25DF041B-SSHN-T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.87158

18247

2-3 工作日

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合计: ¥4.87158

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R1LV0208BSA-5SR#B0
R1LV0208BSA-5SR#B0
STANDARD SRAM, 256KX8, 55NS

¥64.09967

1106

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.38861

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R1LV1616HSA-5SI#B0
R1LV1616HSA-5SI#B0
STANDARD SRAM, 1MX16, 55NS

¥385.68443

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,928.42213

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RMWV6416AGBG-5S2#AC0
RMWV6416AGBG-5S2#AC0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7.5x8.5)

¥603.55086

0

5-7 工作日

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合计: ¥603.55086

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R1LP0108ESF-7SI#B0
R1LP0108ESF-7SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥36.57665

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,499.64245

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R1LV0108ESA-7SR#S0
R1LV0108ESA-7SR#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥36.57665

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,194.59870

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