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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V3577S85BQ
71V3577S85BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥54.88308

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71V67602S166BGG
71V67602S166BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥221.39203

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71V65603S133PFG
71V65603S133PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥87.63909

33

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合计: ¥262.91727

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71V67602S166BGG8
71V67602S166BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥222.92270

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X28HC256JIZ-15T1
X28HC256JIZ-15T1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC(11.43x13.97)

¥248.32348

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RMLV1616AGSD-5S2#HA1
RMLV1616AGSD-5S2#HA1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II

¥195.94942

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合计: ¥195,949.41700

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6116SA20TDB
6116SA20TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥137.76923

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合计: ¥24,798.46122

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71342LA20PFG
71342LA20PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥223.80561

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合计: ¥223.80561

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X28HC256JZ-15T1
X28HC256JZ-15T1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC(11.43x13.97)

¥248.32348

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合计: ¥186,242.60850

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RMLV1616AGSD-5S2#AA1
RMLV1616AGSD-5S2#AA1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II

¥195.94942

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合计: ¥45,068.36591

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6116SA25TDB
6116SA25TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥137.76923

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合计: ¥24,798.46122

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7133LA25JGI8
7133LA25JGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (2K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥223.89021

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合计: ¥55,972.55175

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71V016SA20BFG8
71V016SA20BFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥31.20676

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合计: ¥62,413.51800

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X28HC64JIZ-12
X28HC64JIZ-12
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC(11.43x13.97)

¥157.36424

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合计: ¥113,302.25496

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6116SA45TDB
6116SA45TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥137.76923

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合计: ¥24,798.46122

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7133LA25JGI
7133LA25JGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (2K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥327.68459

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2-3 工作日

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合计: ¥82,576.51567

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X28HC64JZ-12
X28HC64JZ-12
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC(11.43x13.97)

¥157.36424

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6116LA120DB
6116LA120DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥137.76937

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6116LA120TDB
6116LA120TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥137.76937

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6116LA150DB
6116LA150DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥137.76937

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