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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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品牌型号
描述
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6116LA35DB
6116LA35DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥137.76959

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5-7 工作日

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合计: ¥20,665.43865

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X28HC256SZ-12
X28HC256SZ-12
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥347.74974

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5-7 工作日

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合计: ¥34,774.97360

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M10042040054X0PSAY
M10042040054X0PSAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥86.49276

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2-3 工作日

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合计: ¥12,973.91340

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5962-8687505YA
5962-8687505YA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-LCC (14.22x14.22)

¥717.15422

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2-3 工作日

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合计: ¥24,383.24331

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70V3319S133BFI
70V3319S133BFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,613.31802

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合计: ¥33,879.67846

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70V658S15BF8
70V658S15BF8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,079.76170

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2-3 工作日

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合计: ¥1,079,761.69600

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70V3599S133BFI
70V3599S133BFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,613.31802

0

5-7 工作日

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合计: ¥33,879.67846

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70V639S15BF
70V639S15BF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2.25Mb (128K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,067.07679

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2-3 工作日

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合计: ¥22,408.61265

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71V65603S100BGI8
71V65603S100BGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.86221

0

5-7 工作日

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合计: ¥179,862.21100

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70V658S15BF
70V658S15BF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,067.07679

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥22,408.61265

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71V65603S100BQGI
71V65603S100BQGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

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5-7 工作日

- +

合计: ¥48,922.52139

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7134SA45CB
7134SA45CB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥1,398.25633

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5-7 工作日

- +

合计: ¥55,930.25324

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7132SA100CB
7132SA100CB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥1,258.81602

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,258.81602

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70T3319S166BF
70T3319S166BF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,407.14151

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2-3 工作日

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合计: ¥29,549.97167

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70T3319S166BFG
70T3319S166BFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,416.88369

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5-7 工作日

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合计: ¥29,754.55755

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70V7339S166BCGI
70V7339S166BCGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,413.15291

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2-3 工作日

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合计: ¥33,915.66989

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70V3569S6BF
70V3569S6BF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 576Kb (16K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥614.86576

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2-3 工作日

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合计: ¥12,912.18094

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71V416L10PHGI8
71V416L10PHGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥58.05909

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5-7 工作日

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合计: ¥87,088.62900

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70V3319S133BC
70V3319S133BC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,456.87222

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2-3 工作日

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合计: ¥34,964.93316

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71124S12YG
71124S12YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥26.20481

188

5-7 工作日

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合计: ¥26.20481

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