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70V3599S133BFI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 21

  • 库存: 0
  • 单价: ¥1,613.31802
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥33,879.68
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 存储格式 SRAM
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 时钟频率 133兆赫
  • 访达时期 4.2纳秒
  • 存储容量 4.5Mb (128K x 36)
  • 技术 SRAM-双端口,同步
  • 电源电压 3.15伏~3.45伏
  • 包装/外壳 208磅
  • 供应商设备包装 208-CABGA (15x15)

70V3599S133BFI 产品详情

The 70V3599S133BFI is a high-speed 8K x 18 Dual-Port Static RAM designed to be used as a stand-alone Dual-Port RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-Port RAM for 36-bit or wider memory system applications results in full-speed, error-free operation without the need for additional discrete logic. An automatic power down feature controlled by CE permits the on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode.

Feature

  • True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous reads of the same memory location
  • Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed bus compatibility
  • 70V35 easily expands data bus width to 36 bits (32 bits) or more
  • BUSY and Interrupt Flag
  • On-chip port arbitration logic
  • Full on-chip hardware support of semaphore signaling between ports
  • Fully asynchronous operation from either port
  • LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
  • Available in a 100-pin TQFP package
  • Industrial temperature range (-40C to +85C) is available


70V3599S133BFI所属分类:存储器,70V3599S133BFI 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。70V3599S133BFI价格参考¥1613.318022,你可以下载 70V3599S133BFI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询70V3599S133BFI规格参数、现货库存、封装信息等信息!

瑞萨电子 (Renesas)

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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