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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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品牌型号
描述
价格
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操作
M5M51008DVP-70H#ST
M5M51008DVP-70H#ST
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS

¥45.63027

353

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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M5M5V108DFP-70H#ST
M5M5V108DFP-70H#ST
SRAM 1M-BIT (128K X 8)

¥45.63027

349

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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R1EX24016ATAS0A#S0
R1EX24016ATAS0A#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥10.79192

15000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.96804

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M5M51008DKV-70H#BT
M5M51008DKV-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8

¥45.63027

265

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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R1LV5256ESP-7SI#S0
R1LV5256ESP-7SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-SOP

¥27.52302

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.84160

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M5M51008DFP-55HIBT
M5M51008DFP-55HIBT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥45.63027

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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R1EX24016ATAS0A#U0
R1EX24016ATAS0A#U0
EEPROM, 2KX8, SERIAL

¥10.79192

8787

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.96804

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R1LV5256ESP-5SR#B0
R1LV5256ESP-5SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-SOP

¥27.52302

7025

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.84160

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70T653MS12BCI
70T653MS12BCI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥2,761.57291

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,761.57291

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R1LV5256ESA-5SR#S0
R1LV5256ESA-5SR#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-TSOP

¥27.52302

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.84160

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70T3509MS133BPI
70T3509MS133BPI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥4,328.93647

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,328.93647

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R1LV5256ESA-7SI#S0
R1LV5256ESA-7SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-TSOP

¥27.52302

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.84160

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HN58X25256FPIAG#S1
HN58X25256FPIAG#S1
SPI 256K EEPROM (32K X 8-BIT)

¥20.49741

1094

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,193.22255

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R1LV5256ESA-5SR#B0
R1LV5256ESA-5SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥27.52302

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.84160

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HN58X25128FPIAG#S1
HN58X25128FPIAG#S1
SPI 128K EEPROM (16K X 8-BIT)

¥21.00441

30923

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.45864

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R1EX24004ATAS0A#S0
R1EX24004ATAS0A#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥5.93918

42000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.67833

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HN58X2508TIAG#S0
HN58X2508TIAG#S0
SPI 8K EEPROM (1024 X 8-BIT)

¥21.00441

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.45864

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HN58X25128FPI#S0
HN58X25128FPI#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 5 MHz 供应商设备包装: 8-SOP

¥21.00441

1396

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.45864

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R1LP0108ESA-5SI#S0
R1LP0108ESA-5SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥38.53223

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,196.33700

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UPD43256BGU-70Y-E2
UPD43256BGU-70Y-E2
STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS

¥46.86156

3042000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,202.49346

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