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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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品牌型号
描述
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R1LV0108ESP-7SR#B0
R1LV0108ESP-7SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥36.57665

3575

5-7 工作日

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合计: ¥2,194.59870

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R1LP0108ESA-7SI#B0
R1LP0108ESA-7SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥36.57665

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,194.59870

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R1LP0108ESF-5SI#S0
R1LP0108ESF-5SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥36.57665

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,194.59870

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M5M51008DVP-70H#BT
M5M51008DVP-70H#BT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥45.63027

1639

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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R1LV5256ESP-7SI#B0
R1LV5256ESP-7SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-SOP

¥27.45059

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,196.04728

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R1LV0108ESP-7SI#S0
R1LV0108ESP-7SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥36.57665

1000

5-7 工作日

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合计: ¥2,194.59870

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M5M51008DKV-70HIST
M5M51008DKV-70HIST
STANDARD SRAM, 128KX8

¥45.63027

960

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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R1LV0108ESA-5SI#BX
R1LV0108ESA-5SI#BX
STANDARD SRAM, 128KX8, 55NS

¥36.57665

667

5-7 工作日

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合计: ¥2,194.59870

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R1LV0108ESF-7SI#B0
R1LV0108ESF-7SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥36.57665

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,194.59870

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R1LV0108ESN-5SR#B0
R1LV0108ESN-5SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥36.57665

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,194.59870

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R1LV5256ESA-5SI#B0
R1LV5256ESA-5SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥27.52302

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.84160

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R1LV3216RSD-7SI#S0
R1LV3216RSD-7SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II

¥520.61965

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,603.09826

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R1LV3216RSD-5SR#S0
R1LV3216RSD-5SR#S0
STANDARD SRAM, 2MX16, 55NS

¥520.61965

956

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,603.09826

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70V28L15PFG
70V28L15PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥873.56617

261

5-7 工作日

- +

合计: ¥873.56617

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R1LV3216RSA-5SR#B0
R1LV3216RSA-5SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥520.61965

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,603.09826

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R1LV3216RSD-5SR#B0
R1LV3216RSD-5SR#B0
STANDARD SRAM, 2MX16, 55NS

¥520.61965

672

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,603.09826

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R1EX24016ATA00I#S0
R1EX24016ATA00I#S0
EEPROM, 2KX8, SERIAL

¥10.79192

130000

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- +

合计: ¥2,179.96804

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R1EX24016ASA00I#S0
R1EX24016ASA00I#S0
EEPROM, 2KX8, SERIAL

¥10.79192

32187

5-7 工作日

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合计: ¥2,179.96804

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R1EX24016ASAS0A#U0
R1EX24016ASAS0A#U0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOP

¥10.79192

15735

5-7 工作日

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合计: ¥2,179.96804

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M5M5V108DVP-70HIBT
M5M5V108DVP-70HIBT
SRAM 1M-BIT (128K X 8)

¥45.63027

538

5-7 工作日

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合计: ¥2,190.25296

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