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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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UPD44324362BF5-E40-FQ1
UPD44324362BF5-E40-FQ1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥413.06259

14456

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,478.37552

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R1EX24008ATA00A#S0
R1EX24008ATA00A#S0
EEPROM, 1KX8, SERIAL

¥7.02561

15000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,170.91442

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HN58C1001RFPI15E
HN58C1001RFPI15E
PARALLEL EEPROM 128KWORD X 8-BIT

¥230.46908

41398

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,304.69078

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UPD44325184BF5-E40-FQ1
UPD44325184BF5-E40-FQ1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥413.06259

6945

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,478.37552

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HM28100TTI5SEZ
HM28100TTI5SEZ
STANDARD SRAM, 1MX8, 55NS, CMOS,

¥231.41066

2000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,314.10655

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R1LV0108ESN-5SI#B1
R1LV0108ESN-5SI#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥34.69349

363

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.69349

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UPD44325084BF5-E33-FQ1
UPD44325084BF5-E33-FQ1
QDR SRAM, 4MX8, 0.45NS

¥413.06259

4591

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,478.37552

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HN58C256AT10E
HN58C256AT10E
256K EEPROM (32KWORD X 8-BIT)

¥101.25574

105

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,227.62632

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R1EX24008ASAS0A#U0
R1EX24008ASAS0A#U0
EEPROM, 1KX8, SERIAL

¥7.02561

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,170.91442

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R1EX24008ATA00I#S0
R1EX24008ATA00I#S0
EEPROM, 1KX8, SERIAL

¥7.02561

8400

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,170.91442

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R1EX24008ATAS0A#U0
R1EX24008ATAS0A#U0
EEPROM, 1KX8, SERIAL

¥7.02561

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,170.91442

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R1LV1616RBG-7SR#B0
R1LV1616RBG-7SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7.5x8.5)

¥245.89646

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,213.06810

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71V424S12PHGI
71V424S12PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥67.21411

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥67.21411

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HN58V65AT10E
HN58V65AT10E
64 K EEPROM (8KWORD X 8-BIT)

¥67.50383

808

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,227.62632

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UPD44325362BF5-E40Y-FQ1-A
UPD44325362BF5-E40Y-FQ1-A
QDR SRAM, 1MX36, 0.45NS

¥413.06259

4554

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,478.37552

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R1LP0408DSP-7SR#B0
R1LP0408DSP-7SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥104.44262

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,193.29498

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M3016316035NX0IBCY
M3016316035NX0IBCY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)

¥392.13061

128

5-7 工作日

- +

合计: ¥392.13061

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R1LP0408DSB-7SR#B0
R1LP0408DSB-7SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥104.44262

54

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,193.29498

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R1LP0408DSP-5SR#S0
R1LP0408DSP-5SR#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥104.44262

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,193.29498

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UPD44325364BF5-E40-FQ1-A
UPD44325364BF5-E40-FQ1-A
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥413.06259

2613

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,478.37552

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