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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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70V08S25PFI
70V08S25PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥50.48301

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R1LV3216RSA-5SI#B0
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥16.61521

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合计: ¥16.61521

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70V24L15PFI
70V24L15PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥24.19129

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70P254L55BYGI
70P254L55BYGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 供应商设备包装: 81-CABGA (5x5)

¥72.37106

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合计: ¥72.37106

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70V24L25PFI
70V24L25PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥71.19771

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合计: ¥71.19771

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70P254L55BYGI8
70P254L55BYGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 供应商设备包装: 81-CABGA (5x5)

¥14.74654

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70P255L90BYGI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 供应商设备包装: 100-CABGA(6x6)

¥37.59065

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70V24L35PFI
70V24L35PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥484.43412

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70P259L65BYGI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 供应商设备包装: 100-CABGA(6x6)

¥314.47223

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70V24S20PFI
70V24S20PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥66.79402

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70P259L65BYGI8
70P259L65BYGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 供应商设备包装: 100-CABGA(6x6)

¥24.77072

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70V24S25PFI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥3.50556

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70P259L90BYGI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 供应商设备包装: 100-CABGA(6x6)

¥7.69196

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70V24S35PFI
70V24S35PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥168.65817

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70P264L40BYGI
70P264L40BYGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 供应商设备包装: 81-CABGA (5x5)

¥33.37528

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70V24S55PFI
70V24S55PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥206.08948

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合计: ¥206.08948

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70P264L40BYGI8
70P264L40BYGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 供应商设备包装: 81-CABGA (5x5)

¥47.13679

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70V25L15PFI
70V25L15PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥21.54039

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70P264L55BYGI
70P264L55BYGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 供应商设备包装: 81-CABGA (5x5)

¥40.45884

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合计: ¥40.45884

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70V25L35PFI
70V25L35PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥199.35358

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