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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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R1LP0408DSP-5SI#S0
R1LP0408DSP-5SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥75.74625

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5-7 工作日

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合计: ¥75.74625

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R1LP5256ESP-5SI#S0
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOP

¥11.25547

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合计: ¥11.25547

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R1LV3216RSD-5SI#S0
R1LV3216RSD-5SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II

¥19.68620

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合计: ¥19.68620

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R1LV5256ESP-5SI#S0
R1LV5256ESP-5SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-SOP

¥22.67028

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合计: ¥22.67028

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R1EV5801MBSDRDI#B0
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥109.44022

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合计: ¥109.44022

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R1RP0408DGE-2LR#B0
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥167.10819

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合计: ¥167.10819

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R1RP0408DGE-2PI#B0
R1RP0408DGE-2PI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥36.85188

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合计: ¥36.85188

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R1RP0408DGE-2PR#B0
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥295.69864

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合计: ¥295.69864

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R1RP0416DGE-2LR#B0
R1RP0416DGE-2LR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥60.98522

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合计: ¥60.98522

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R1RP0416DGE-2PI#B0
R1RP0416DGE-2PI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥28.66740

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合计: ¥28.66740

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R1RP0416DGE-2PR#B0
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥65.78002

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合计: ¥65.78002

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R1RW0408DGE-2LR#B0
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥36.82290

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合计: ¥36.82290

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R1RW0408DGE-2PI#B0
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥50.49750

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合计: ¥50.49750

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R1RW0408DGE-2PR#B0
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥38.31494

0

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合计: ¥38.31494

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R1RW0416DGE-2PI#B0
R1RW0416DGE-2PI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥45.94896

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.94896

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R1RW0416DGE-2PR#B0
R1RW0416DGE-2PR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥8.22793

0

5-7 工作日

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合计: ¥8.22793

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709099L12PFI8
709099L12PFI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥82.09103

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合计: ¥82.09103

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70914S15PFI8
70914S15PFI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Kb (4K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 80-TQFP (14x14)

¥28.36320

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合计: ¥28.36320

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70914S20PF8/8029
70914S20PF8/8029
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Kb (4K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 80-TQFP (14x14)

¥18.00585

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合计: ¥18.00585

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70914S20PFI8
70914S20PFI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Kb (4K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 80-TQFP (14x14)

¥52.03299

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合计: ¥52.03299

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