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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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品牌型号
描述
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70V07L35JGI8
70V07L35JGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥83.52512

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70V07L35JGI
70V07L35JGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥149.58037

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UPD48576218F1-E24-DW1-A
UPD48576218F1-E24-DW1-A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-TFBGA (11x18.5)

¥112.51121

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UPD48576218F1-E24-DW1-E2-A
UPD48576218F1-E24-DW1-E2-A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-TFBGA (11x18.5)

¥60.69550

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R1EX24256BSAS0I#U0
R1EX24256BSAS0I#U0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOP

¥54.84324

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UPD48576236F1-E24-DW1-E2-A
UPD48576236F1-E24-DW1-E2-A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-TFBGA (11x18.5)

¥34.37480

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UPD48576236F1-E24-DW1-A
UPD48576236F1-E24-DW1-A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-TFBGA (11x18.5)

¥100.58940

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7132SA55PDG
7132SA55PDG
IC CLOCK

¥56.92919

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R1LP0108ESN-5SI#S0
R1LP0108ESN-5SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥82.30832

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合计: ¥82.30832

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R1LV0108ESN-5SI#S0
R1LV0108ESN-5SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥201.09188

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合计: ¥201.09188

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R1LV3216RSA-5SI#S1
R1LV3216RSA-5SI#S1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥78.09295

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R1WV6416RBG-5SI#S0
R1WV6416RBG-5SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (8.5x11)

¥42.42891

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R1WV6416RSA-5SI#S0
R1WV6416RSA-5SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥41.34247

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R1WV6416RSD-5SI#S0
R1WV6416RSD-5SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II

¥123.94051

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RMLV0408EGSP-4S2#HA0
RMLV0408EGSP-4S2#HA0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥70.63276

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X28HC256PZ-12
X28HC256PZ-12
IC AMP CLASS

¥31.52110

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RMLV0816BGSD-4S2#HC0
RMLV0816BGSD-4S2#HC0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II

¥36.63459

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合计: ¥36.63459

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RMLV1616AGSD-5S2#HC0
RMLV1616AGSD-5S2#HC0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II

¥30.01458

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R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (8.5x11)

¥137.77444

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R1WV6416RSD-5SI#B0
R1WV6416RSD-5SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II

¥129.47408

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