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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

久芯自营
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描述
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操作
M5M51008DKV-55H#ST
M5M51008DKV-55H#ST
STANDARD SRAM, 128KX8

¥45.63027

5000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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M5M51008DVP-70HIBT
M5M51008DVP-70HIBT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥45.63027

4826

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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M5M5V108DKV-70H#BT
M5M5V108DKV-70H#BT
SRAM 1M-BIT (128K X 8)

¥45.63027

4272

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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M5M51008DVP-70HIST
M5M51008DVP-70HIST
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥45.63027

2823

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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M5M51008DKV-55H#BT
M5M51008DKV-55H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8

¥45.63027

3444

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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M5M51008DVP-55H#BT
M5M51008DVP-55H#BT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥45.63027

2512

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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R1RW0416DSB-0PR#D0
R1RW0416DSB-0PR#D0
STANDARD SRAM, 256KX16

¥175.13332

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,276.73319

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R1RW0416DSB-0PI#D0
R1RW0416DSB-0PI#D0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥175.13332

3194

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,276.73319

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R1RW0404DGE-2LR#B0
R1RW0404DGE-2LR#B0
4M HIGH SPEED SRAM (1M X 4-BIT)

¥175.13332

1683

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,276.73319

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UPD44645364AF5-E40-FQ1
UPD44645364AF5-E40-FQ1
STANDARD SRAM, 2MX36, 0.45NS

¥518.30192

778

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

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R1RP0416DSB-2SR#D0
R1RP0416DSB-2SR#D0
4 M (256K X 16-BIT) SRAM

¥175.13332

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,276.73319

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UPD44645182AF5-E40-FQ1-A
UPD44645182AF5-E40-FQ1-A
QDR SRAM, 4MX18, 0.45NS

¥518.30192

492

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

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R1RW0416DSB-0PI#S0
R1RW0416DSB-0PI#S0
STANDARD SRAM, 256KX16, 10NS

¥175.13332

291

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,276.73319

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UPD44645362AF5-E50-FQ1-A
UPD44645362AF5-E50-FQ1-A
STANDARD SRAM, 2MX36, 0.45NS

¥518.30192

486

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

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R1RP0404DGE-2LR#B0
R1RP0404DGE-2LR#B0
4M HIGH SPEED SRAM (1M X 4-BIT)

¥175.13332

348

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,276.73319

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R1RP0401DGE-2PR#B0
R1RP0401DGE-2PR#B0
4M ASYNCHRONOUS SRAM

¥175.13332

112

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,276.73319

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UPD44645362AF5-E40-FQ1-A
UPD44645362AF5-E40-FQ1-A
STANDARD SRAM, 2MX36, 0.45NS

¥518.30192

343

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

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UPD44645182AF5-E33-FQ1
UPD44645182AF5-E33-FQ1
STANDARD SRAM, 4MX18, 0.45NS

¥518.30192

323

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

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R1LV0816ASB-7SI#S0
R1LV0816ASB-7SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥175.85761

2705

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,286.14896

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UPD44645364AF5-E40-FQ1-A
UPD44645364AF5-E40-FQ1-A
STANDARD SRAM, 2MX36, 0.45NS

¥518.30192

313

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

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