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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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UPD46365184BF1-E40-EQ1-A
UPD46365184BF1-E40-EQ1-A
QDR SRAM, 2MX18, 0.45NS

¥435.66044

1593

5-7 工作日

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合计: ¥2,178.30218

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UPD46365092BF1-E40Y-EQ1-A
UPD46365092BF1-E40Y-EQ1-A
QDR SRAM, 4MX9, 0.45NS

¥435.66044

1080

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.30218

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AT25XE041B-MAHN-T
AT25XE041B-MAHN-T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 时钟频率: 85 MHz 供应商设备包装: 8-UDFN (2x3)

¥9.74243

49731

2-3 工作日

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UPD46365364BF1-E40-EQ1-A
UPD46365364BF1-E40-EQ1-A
QDR SRAM, 1MX36, 0.45NS

¥435.66044

921

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.30218

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R1LV0108ESP-5SI#B0
R1LV0108ESP-5SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥36.57665

93

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,194.59870

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R1LP0108ESA-7SR#B0
R1LP0108ESA-7SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥38.53223

90

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,196.33700

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71V016SA10PHG8
71V016SA10PHG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥13.23140

0

2-3 工作日

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合计: ¥19,847.09250

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70261L20PFGI
70261L20PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥513.01461

2

5-7 工作日

- +

合计: ¥513.01461

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71V424S15YGI
71V424S15YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥49.35237

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥49.35237

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7025S20PF
7025S20PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥248.72119

651

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,989.76949

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71V424L15PHG
71V424L15PHG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥64.09967

30

5-7 工作日

- +

合计: ¥64.09967

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AT25DF321A-MH-Y
AT25DF321A-MH-Y
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (256 Bytes x 16384 pages) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-UDFN (5x6)

¥20.70238

1819

2-3 工作日

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合计: ¥20.70238

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71V546S100PFG
71V546S100PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥46.85112

30

2-3 工作日

- +

合计: ¥46.85112

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71256SA20TPG
71256SA20TPG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥28.39217

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.39217

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71256SA25TPG
71256SA25TPG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥18.26732

1265

2-3 工作日

- +

合计: ¥18.26732

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71256SA12TPG
71256SA12TPG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥28.39217

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.39217

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71256SA15TPG
71256SA15TPG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥28.39217

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.39217

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7025S25PF
7025S25PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥318.68760

446

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,912.12560

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HD63310RP20
HD63310RP20
MULTI-PORT SRAM, 1KX8, 200NS

¥335.70842

1473

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,349.95891

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R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108ESA-5SI#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥15.31227

0

2-3 工作日

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合计: ¥15.31227

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