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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
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操作
R1RW0416DSB-2SR#D0
R1RW0416DSB-2SR#D0
STANDARD SRAM, 256KX16

¥175.13332

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5-7 工作日

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合计: ¥2,276.73319

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71V35761SA166BQG
71V35761SA166BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥68.82406

0

5-7 工作日

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合计: ¥9,360.07270

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71V65603S100BGI
71V65603S100BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.86221

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5-7 工作日

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合计: ¥45,325.27717

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R1RW0416DSB-2PI#D0
R1RW0416DSB-2PI#D0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥175.13332

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5-7 工作日

- +

合计: ¥1,926.46654

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71256SA15PZG
71256SA15PZG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP

¥9.35341

0

2-3 工作日

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合计: ¥4,377.39541

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M30042040054X0PWAY
M30042040054X0PWAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥86.49276

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2-3 工作日

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合计: ¥19,460.87010

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71V67903S75BG
71V67903S75BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50060

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥41,454.15120

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71V35761SA183BQG
71V35761SA183BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥68.35345

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥9,296.06906

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71016S20YGI
71016S20YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥19.88488

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,090.52800

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71256SA20PZG
71256SA20PZG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP

¥13.25241

113

2-3 工作日

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合计: ¥6,202.12975

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71V65603S133PFG8
71V65603S133PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥76.48502

4

5-7 工作日

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合计: ¥76.48502

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71V65603S100BQGI8
71V65603S100BQGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥180.75199

0

2-3 工作日

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合计: ¥361,503.98800

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M30042040054X0PWAR
M30042040054X0PWAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥87.00772

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥348,030.87600

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71V3556SA100BGG8
71V3556SA100BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥68.82421

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥68,824.20900

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71024S20YGI8
71024S20YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥61.80606

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥61.80606

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M30042040054X0PSAR
M30042040054X0PSAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥87.08863

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5-7 工作日

- +

合计: ¥174,177.26000

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71V3556SA133BGG8
71V3556SA133BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥68.82421

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥68,824.20900

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M10042040054X0PWAR
M10042040054X0PWAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥87.00772

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥348,030.87600

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71V3556SA150BGG8
71V3556SA150BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥68.82421

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥68,824.20900

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M10042040054X0PSAR
M10042040054X0PSAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥87.00772

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥174,015.43800

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