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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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M30082040108X0ISAY
M30082040108X0ISAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥127.45858

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71V65603S100BQ
71V65603S100BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥163.37988

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合计: ¥44,439.32654

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71V416L15PHG8
71V416L15PHG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥47.64984

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合计: ¥71,474.75550

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71321LA25JGI8
71321LA25JGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥149.26024

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M30082040108X0IWAR
M30082040108X0IWAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥128.21526

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合计: ¥512,861.05600

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71V65603S100BQG
71V65603S100BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

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合计: ¥44,744.18278

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71V424S15PHG8
71V424S15PHG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥47.64984

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2-3 工作日

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合计: ¥71,474.75550

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71V2556SA100BGG
71V2556SA100BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥68.94509

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合计: ¥11,582.77562

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M10082040108X0ISAR
M10082040108X0ISAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥128.21526

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2-3 工作日

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合计: ¥256,430.52800

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71V3556SA150BGGI
71V3556SA150BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥72.19991

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2-3 工作日

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合计: ¥12,129.58438

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71V416L10PHG8
71V416L10PHG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥47.41492

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合计: ¥71,122.38150

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71V2556SA100BGG8
71V2556SA100BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥68.94517

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合计: ¥68,945.16500

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M30082040108X0ISAR
M30082040108X0ISAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥128.33477

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5-7 工作日

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合计: ¥256,669.54400

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71V35761SA166BGGI
71V35761SA166BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥45.53744

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合计: ¥7,650.28958

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71V416L12BE
71V416L12BE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥47.41492

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71V65603S133BQ
71V65603S133BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

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5-7 工作日

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合计: ¥44,744.18278

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71V416L12BE8
71V416L12BE8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥47.64984

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合计: ¥95,299.67400

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71V65603S150BQ
71V65603S150BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥163.37988

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥44,439.32654

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71V416L12PHG8
71V416L12PHG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥47.41492

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合计: ¥71,122.38150

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71V416L12YG8
71V416L12YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥47.41492

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