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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V65703S75PFG
71V65703S75PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥99.58753

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71V546S133PFGI
71V546S133PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥67.75441

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合计: ¥9,756.63518

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71V65803S133BGG
71V65803S133BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50060

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合计: ¥41,454.15120

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71V65803S150BG
71V65803S150BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50060

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合计: ¥41,454.15120

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71V3556SA166BG8
71V3556SA166BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥65.07456

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合计: ¥65,074.55900

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71V321L35JGI
71V321L35JGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥144.30088

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合计: ¥34,632.21024

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71V3556SA166BQ8
71V3556SA166BQ8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥65.07456

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合计: ¥130,149.11800

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71V424L12YGI
71V424L12YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥55.99805

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合计: ¥8,959.68752

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71V321L35JGI8
71V321L35JGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥144.30102

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合计: ¥57,720.40840

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71V3556SA166BQG8
71V3556SA166BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥65.40029

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合计: ¥130,800.58800

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71V65703S80PFG
71V65703S80PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥76.82406

63

2-3 工作日

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合计: ¥16,593.99782

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71V35761SA166BG8
71V35761SA166BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥65.40029

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合计: ¥65,400.29400

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X28HC64JIZ-90
X28HC64JIZ-90
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC(11.43x13.97)

¥157.36424

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合计: ¥113,302.25496

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71V416L10BEG8
71V416L10BEG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥52.85796

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合计: ¥105,715.92000

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70125L25JG
70125L25JG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Kb (2K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥186.75289

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合计: ¥8,964.13867

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71V65903S80BG
71V65903S80BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50060

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5-7 工作日

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合计: ¥41,454.15120

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71V424L15YGI
71V424L15YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥55.99805

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5-7 工作日

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合计: ¥8,959.68752

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71V416S12BEI8
71V416S12BEI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥52.85796

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5-7 工作日

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合计: ¥105,715.92000

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71V416S15BEI8
71V416S15BEI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥52.85796

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合计: ¥105,715.92000

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71V424L10PHGI8
71V424L10PHGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥53.12526

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合计: ¥79,687.88850

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