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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V3579S85PFGI
71V3579S85PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥68.21957

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合计: ¥9,823.61822

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70T3539MS133BCI
70T3539MS133BCI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥2,885.64379

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71V546S100PFGI
71V546S100PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥68.21957

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71V65703S80BG
71V65703S80BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50060

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71V424L15PHGI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥52.85796

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71V65703S75PFG8
71V65703S75PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥100.27288

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5962-3829408MZA
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥187.24055

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合计: ¥31,643.65363

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71V35761SA183BGG
71V35761SA183BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥65.07441

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5962-3829414MZA
5962-3829414MZA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥187.24055

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合计: ¥31,643.65363

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71T75802S166PFG
71T75802S166PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥144.25843

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合计: ¥10,386.60718

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71V65703S85BG
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50060

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71V65803S100BG
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50060

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71V321L25TFG
71V321L25TFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (10x10)

¥187.48247

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71V65703S80PFG8
71V65703S80PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥100.77510

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R1LV0816ABG-5SI#B0
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (7.5x8.5)

¥167.16613

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71V65803S100BGG
71V65803S100BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50060

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71V321L25TFG8
71V321L25TFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (10x10)

¥187.48247

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71V65703S85PFG8
71V65703S85PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥100.27288

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71V65803S133BG
71V65803S133BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥103.08717

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71V2556SA166BG8
71V2556SA166BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

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