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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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RMLV0816BGSD-4S2#HA1
RMLV0816BGSD-4S2#HA1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II

¥125.79469

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71V3579S80PFG8
71V3579S80PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥47.40812

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71V546S100PFG8
71V546S100PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥47.17301

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R1RW0416DSB-2PI#D1
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥131.84222

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合计: ¥17,798.69957

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R1RP0416DGE-2LR#B1
R1RP0416DGE-2LR#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥116.11846

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R1RP0416DGE-2PI#B1
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥128.21411

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R1RP0416DGE-2PR#B1
R1RP0416DGE-2PR#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥113.69875

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71V546S133PFG8
71V546S133PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥47.17301

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71V2546S100BG8
71V2546S100BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥47.17301

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合计: ¥47,173.00800

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71V3579S85PFG8
71V3579S85PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥47.17301

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合计: ¥47,173.00800

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R1RW0416DGE-2PI#B1
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥116.11846

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71V016SA12YGI
71V016SA12YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥17.91861

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71V016SA20YGI
71V016SA20YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥30.87373

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R1RW0416DGE-2PR#B1
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥116.11846

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5-7 工作日

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合计: ¥12,540.79400

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6116SA25SOGI
6116SA25SOGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOIC

¥35.28299

89

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R1RP0408DGE-2LR#B1
R1RP0408DGE-2LR#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥116.11817

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合计: ¥12,772.99903

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R1RP0408DGE-2PI#B1
R1RP0408DGE-2PI#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥119.74687

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合计: ¥13,172.15526

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R1RP0408DGE-2PR#B1
R1RP0408DGE-2PR#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥116.11817

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5-7 工作日

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合计: ¥12,772.99903

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R1RW0408DGE-2LR#B1
R1RW0408DGE-2LR#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥116.11817

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合计: ¥12,772.99903

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R1RW0408DGE-2PI#B1
R1RW0408DGE-2PI#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

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