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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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R1RP0416DSB-2LR#D1
R1RP0416DSB-2LR#D1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥138.00035

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5-7 工作日

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合计: ¥18,630.04725

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71V3556S100PFG8
71V3556S100PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥47.17301

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5-7 工作日

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合计: ¥47,173.00800

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R1RP0416DSB-2PI#D1
R1RP0416DSB-2PI#D1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥134.20232

0

5-7 工作日

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合计: ¥18,117.31293

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71V3556S133PFG8
71V3556S133PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥47.40812

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2-3 工作日

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合计: ¥47,408.11900

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71V424L15PHGI
71V424L15PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥53.77685

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2-3 工作日

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合计: ¥7,259.87408

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RMLV0816BGBG-4S2#KC0
RMLV0816BGBG-4S2#KC0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7.5x8.5)

¥125.79469

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合计: ¥125,794.68700

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71V3558S133PFG8
71V3558S133PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥47.40812

0

2-3 工作日

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合计: ¥47,408.11900

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R1RP0416DSB-2PR#D1
R1RP0416DSB-2PR#D1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥127.62207

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5-7 工作日

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合计: ¥17,228.97959

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71256L20YGI8
71256L20YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥49.47118

0

5-7 工作日

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合计: ¥49,471.18000

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71V3559S80BG8
71V3559S80BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥47.17301

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥47,173.00800

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R1RW0416DSB-2LR#D1
R1RW0416DSB-2LR#D1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥131.67006

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5-7 工作日

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合计: ¥17,775.45743

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R1RW0416DSB-2PR#D1
R1RW0416DSB-2PR#D1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥134.41055

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5-7 工作日

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合计: ¥18,145.42439

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71256L25YGI8
71256L25YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥49.72020

0

2-3 工作日

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合计: ¥49,720.19800

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71V3559S85BG8
71V3559S85BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥47.17301

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥47,173.00800

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71V632S5PFG
71V632S5PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 32) 电源电压: 3.135V ~ 3.63V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥42.15368

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥42.15368

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71256L35YGI8
71256L35YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥49.47118

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥49,471.18000

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71V3578S133PFG8
71V3578S133PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥47.17301

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥47,173.00800

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71V3578S150PFG8
71V3578S150PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥47.40812

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥47,408.11900

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71V3559S80PFG
71V3559S80PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥42.16773

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5-7 工作日

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合计: ¥6,072.15298

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71V3559S85PFG
71V3559S85PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥42.16773

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合计: ¥6,072.15298

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