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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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71V016SA15BF
71V016SA15BF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥26.34257

783

5-7 工作日

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合计: ¥12,539.06427

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70V24S55PFG
70V24S55PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP

¥200.04890

1082

5-7 工作日

- +

合计: ¥200.04890

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71V016SA15BFG
71V016SA15BFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥26.34257

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12,539.06427

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5962-3829407MXA
5962-3829407MXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥225.39905

1102

5-7 工作日

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合计: ¥225.39905

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71V016SA20BF
71V016SA20BF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥26.16853

0

2-3 工作日

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合计: ¥12,456.21790

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RMWV6416AGSA-5S2#AA0
RMWV6416AGSA-5S2#AA0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥603.55086

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5-7 工作日

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合计: ¥603.55086

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71V424L10YG
71V424L10YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥48.56502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,770.40336

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71V424L12YG
71V424L12YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥29.78378

0

2-3 工作日

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合计: ¥4,765.40400

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71V424L15YG
71V424L15YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥48.56502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,770.40336

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7024L20PFGI
7024L20PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥308.47511

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥308.47511

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R1LP0408DSP-5SI#S1
R1LP0408DSP-5SI#S1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥83.45994

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥83,459.93700

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RMLV0408EGSP-4S2#HA1
RMLV0408EGSP-4S2#HA1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥72.50468

0

2-3 工作日

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合计: ¥72,504.68100

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71V3559S80PFG8
71V3559S80PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥40.03658

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥40,036.57800

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R1EX25032ASA00A#S0
R1EX25032ASA00A#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 5 MHz 供应商设备包装: 8-SOP

¥10.50221

94735

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.45864

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71V3576S150PFGI8
71V3576S150PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥49.83405

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥49,834.04900

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71V3559S85PFG8
71V3559S85PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥40.24068

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥40,240.67600

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71V016SA10BFGI
71V016SA10BFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥16.20557

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2-3 工作日

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合计: ¥7,713.85084

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71V424S12YG
71V424S12YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥29.78378

0

2-3 工作日

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合计: ¥4,765.40400

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71V256SA12YGI8
71V256SA12YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥21.40929

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5-7 工作日

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合计: ¥21,409.28800

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71V3577S75PFGI8
71V3577S75PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥49.83405

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5-7 工作日

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合计: ¥49,834.04900

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