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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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71V016SA12PHGI
71V016SA12PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥19.62826

77

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.62826

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71V3578S150PFG
71V3578S150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥48.31717

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,957.67234

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71V016SA20PHGI
71V016SA20PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.96811

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,041.38835

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7164S20YGI
7164S20YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥29.06913

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥15,697.33182

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7164S20YGI8
7164S20YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥46.32631

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥46,326.31300

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71V3579S80PFG
71V3579S80PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥47.98614

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,910.00402

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71V3579S85PFG
71V3579S85PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥22.64786

3077

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,261.29184

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71V3577S75PFG8
71V3577S75PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥39.79467

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥39,794.66500

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71V124SA15YG8
71V124SA15YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥14.98368

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14,983.67700

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71V35761S183PFG8
71V35761S183PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥39.79467

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥39,794.66500

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71024S15YG8
71024S15YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥24.91558

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.91558

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71V546S133PFG
71V546S133PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥48.31717

10513

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,957.67234

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71024S12YG8
71024S12YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥13.10528

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥13,105.28200

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71V124SA12YG8
71V124SA12YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥14.98368

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.98368

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71V3577S85PFG8
71V3577S85PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥39.79467

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥39,794.66500

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R1EX24008ATAS0I#S1
R1EX24008ATAS0I#S1
EEPROM, 1KX8, SERIAL

¥3.47659

250

5-7 工作日

- +

合计: ¥869.14800

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71016S12PHG
71016S12PHG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥18.25052

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,927.63905

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71016S20PHG
71016S20PHG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥12.94764

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,495.86280

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RMWV3216AGBG-5S2#KC0
RMWV3216AGBG-5S2#KC0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7.5x8.5)

¥452.02939

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥452.02939

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71V016SA12BF
71V016SA12BF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥30.92718

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥185.56310

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