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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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品牌型号
描述
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71016S12YG
71016S12YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥19.16964

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合计: ¥4,907.42758

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71V124SA15PHGI
71V124SA15PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥17.46270

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5-7 工作日

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合计: ¥6,024.63288

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71V124SA15TYGI
71V124SA15TYGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥17.46270

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5-7 工作日

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合计: ¥6,024.63288

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70V631S15PRFI
70V631S15PRFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 128-TQFP(14x20)

¥1,438.43994

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合计: ¥7,192.19970

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70V659S12DRI
70V659S12DRI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥2,076.32214

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合计: ¥10,381.61071

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71V016SA12YG
71V016SA12YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥15.88716

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合计: ¥4,067.11194

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71V016SA15YG
71V016SA15YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥15.88716

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5-7 工作日

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合计: ¥4,067.11194

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71V016SA20YG
71V016SA20YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥15.78519

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合计: ¥4,041.00890

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AT25DL161-SSHN-B
AT25DL161-SSHN-B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (256 Bytes x 8192 pages) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥9.98651

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合计: ¥19,573.56156

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71024S12YGI8
71024S12YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥19.23207

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5-7 工作日

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合计: ¥19,232.07200

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71124S12YG8
71124S12YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥19.32688

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2-3 工作日

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合计: ¥19,326.87500

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71124S15YG8
71124S15YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥19.23207

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5-7 工作日

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HN58C256AFP85E
HN58C256AFP85E
256K EEPROM (32KWORD X 8-BIT)

¥71.63228

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5-7 工作日

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合计: ¥71.63228

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71124S15YGI8
71124S15YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥19.23207

0

5-7 工作日

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合计: ¥19,232.07200

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71124S20YG8
71124S20YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥19.23207

0

5-7 工作日

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71124S20YGI8
71124S20YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥19.23207

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71024S15YGI8
71024S15YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥22.37462

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2-3 工作日

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合计: ¥22.37462

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71V016SA15BFGI8
71V016SA15BFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥22.25598

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5-7 工作日

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71V016SA15BFI8
71V016SA15BFI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥22.25598

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合计: ¥44,511.96600

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71V256SA12PZG8
71V256SA12PZG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP

¥22.25598

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