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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V256SA15PZG8
71V256SA15PZG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP

¥22.25598

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71V124SA15YG
71V124SA15YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥11.51836

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71256SA12YG
71256SA12YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥11.38729

405

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71256SA20YGI8
71256SA20YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥10.99288

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71124S15YG
71124S15YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥12.13841

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71124S15YGI
71124S15YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥26.73604

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71024S12YGI
71024S12YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥20.80060

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合计: ¥7,176.20528

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71124S20YG
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥20.80060

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合计: ¥7,176.20528

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71V016SA12BF8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥25.27989

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合计: ¥50,559.78800

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71124S20YGI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥20.80060

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5-7 工作日

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合计: ¥7,176.20528

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71024S20YG
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥19.62319

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合计: ¥6,770.00021

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71V016SA15BF8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥25.27989

0

5-7 工作日

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合计: ¥50,559.78800

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71V124SA15YGI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥16.20186

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合计: ¥16,201.86000

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71V016SA15BFG8
71V016SA15BFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥25.41185

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2-3 工作日

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合计: ¥50,823.69000

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71V124SA10PHGI8
71V124SA10PHGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥16.28964

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合计: ¥24,434.46600

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71V016SA20BF8
71V016SA20BF8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥25.27989

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合计: ¥50,559.78800

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71V124SA12PHGI8
71V124SA12PHGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥16.20186

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合计: ¥24,302.79000

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71V256SA20PZG
71V256SA20PZG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP

¥15.25972

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合计: ¥7,141.54802

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71V124SA12TYGI8
71V124SA12TYGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥16.20186

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合计: ¥16,201.86000

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71V256SA12PZGI
71V256SA12PZGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP

¥25.33429

198

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