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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

久芯自营
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R1LV3216RSA-5SI#BU
R1LV3216RSA-5SI#BU
R1LV3216R - LOW POWER SRAM, 2MX1

¥520.61965

87

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合计: ¥2,603.09826

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UPD44647186AF5-E22-FQ1-A
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥518.30192

2474

5-7 工作日

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合计: ¥2,591.50962

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R1WV3216RSD-7SR#B0
R1WV3216RSD-7SR#B0
32MB SUPERSRAM (2M X16-BIT)

¥64.82396

0

5-7 工作日

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合计: ¥259.29582

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UPD44647366AF5-E25-FQ1-A
UPD44647366AF5-E25-FQ1-A
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥518.30192

1472

5-7 工作日

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合计: ¥2,591.50962

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71V016SA12YG8
71V016SA12YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥15.91130

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2-3 工作日

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合计: ¥7,955.65200

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UPD44647186AF5-E25-FQ1-A
UPD44647186AF5-E25-FQ1-A
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥518.30192

193

5-7 工作日

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合计: ¥2,591.50962

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R1LV3216RSD-7SI#B0
R1LV3216RSD-7SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II

¥520.58344

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,082.33375

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R1WV3216RBG-7SI#B0
R1WV3216RBG-7SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7.5x8.5)

¥520.69208

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,082.76832

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71V016SA15YG8
71V016SA15YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥15.82936

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,914.67900

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71V016SA20YG8
71V016SA20YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥15.91130

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥7,955.65200

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71V124SA12YGI
71V124SA12YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥22.15392

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2-3 工作日

- +

合计: ¥12,738.50170

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71V124SA15YGI
71V124SA15YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥17.39918

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10,004.53080

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71016S15YG8
71016S15YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥13.10528

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,552.64100

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71016S20YG8
71016S20YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥19.09996

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,549.98100

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71V124SA10PHGI
71V124SA10PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥17.46270

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,024.63288

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71016S15YGI8
71016S15YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥19.15820

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.15820

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71016S20YGI8
71016S20YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥19.15820

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,579.09750

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71V124SA12PHGI
71V124SA12PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥17.46270

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,024.63288

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71V124SA12TYGI
71V124SA12TYGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥17.46270

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,024.63288

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71016S20PHGI
71016S20PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥24.94672

139

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,367.80720

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