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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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RMLV0816BGSA-4S2#KA0
RMLV0816BGSA-4S2#KA0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥149.49346

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合计: ¥149.49346

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R1LV5256ESA-5SI#B1
R1LV5256ESA-5SI#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥28.39217

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合计: ¥28.39217

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RMLV0816BGSB-4S2#HA0
RMLV0816BGSB-4S2#HA0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥149.49346

0

5-7 工作日

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合计: ¥149.49346

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7024L15PFG
7024L15PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥264.80656

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2-3 工作日

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R1LP0108ESA-5SI#S1
R1LP0108ESA-5SI#S1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥37.80794

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HN58V65AT10SRE
HN58V65AT10SRE
64K EEPROM (8KWORD X 8-BIT)

¥56.85677

6935

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合计: ¥2,217.41384

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70V24L15PFG
70V24L15PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥308.47511

263

5-7 工作日

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合计: ¥308.47511

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UPD46185182BF1-E40Y-EQ1-A
UPD46185182BF1-E40Y-EQ1-A
QDR SRAM, 1MX18, 0.45NS

¥304.70880

2724

5-7 工作日

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UPD46184095BF1-E40-EQ1-A
UPD46184095BF1-E40-EQ1-A
DDR SRAM, 2MX9, 0.45NS

¥304.70880

1223

5-7 工作日

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71V65603S100PFG
71V65603S100PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥84.16250

0

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合计: ¥84.16250

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AT45DB641E-SHN-B
AT45DB641E-SHN-B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (264 Bytes x 32K pages) 电源电压: 1.7伏~3.6伏 时钟频率: 85 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥31.66161

2576

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70V05L20PFGI
70V05L20PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥265.60528

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2-3 工作日

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合计: ¥265.60528

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70V24L20PFGI
70V24L20PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥308.47511

2053

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合计: ¥308.47511

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UPD46185094BF1-E40-EQ1-A
UPD46185094BF1-E40-EQ1-A
QDR SRAM, 2MX9, 0.45NS

¥304.70880

571

5-7 工作日

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合计: ¥2,437.67042

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UPD46185364BF1-E40-EQ1-A
UPD46185364BF1-E40-EQ1-A
QDR SRAM, 512KX36, 0.45NS

¥304.70880

565

5-7 工作日

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合计: ¥2,437.67042

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R1LP0108ESF-5SI#B0
R1LP0108ESF-5SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥9.27091

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合计: ¥64.89638

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UPD46184184BF1-E40-EQ1-A
UPD46184184BF1-E40-EQ1-A
DDR SRAM, 1MX18, 0.45NS

¥304.70880

527

5-7 工作日

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合计: ¥2,437.67042

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UPD46184185BF1-E40-EQ1-A
UPD46184185BF1-E40-EQ1-A
DDR SRAM, 1MX18, 0.45NS

¥304.70880

494

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,437.67042

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UPD46184362BF1-E40-EQ1-A
UPD46184362BF1-E40-EQ1-A
DDR SRAM, 512KX36, 0.45NS

¥304.70880

467

5-7 工作日

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R1LV0108ESF-5SI#B1
R1LV0108ESF-5SI#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥14.39794

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