Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥149.49346 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥149.49346 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-TSOP I | ¥28.39217 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.39217 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥149.49346 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥149.49346 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) | ¥264.80656 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥264.80656 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥37.80794 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.80794 | 添加到BOM 立即询价 | ||
64K EEPROM (8KWORD X 8-BIT) | ¥56.85677 | 6935 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,217.41384 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) | ¥308.47511 | 263 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥308.47511 | 添加到BOM 立即询价 | ||
QDR SRAM, 1MX18, 0.45NS | ¥304.70880 | 2724 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,437.67042 | 添加到BOM 立即询价 | ||
DDR SRAM, 2MX9, 0.45NS | ¥304.70880 | 1223 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,437.67042 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥84.16250 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥84.16250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (264 Bytes x 32K pages) 电源电压: 1.7伏~3.6伏 时钟频率: 85 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥31.66161 | 2576 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥31.66161 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14) | ¥265.60528 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥265.60528 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) | ¥308.47511 | 2053 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥308.47511 | 添加到BOM 立即询价 | ||
QDR SRAM, 2MX9, 0.45NS | ¥304.70880 | 571 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,437.67042 | 添加到BOM 立即询价 | ||
QDR SRAM, 512KX36, 0.45NS | ¥304.70880 | 565 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,437.67042 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥9.27091 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥64.89638 | 添加到BOM 立即询价 | ||
DDR SRAM, 1MX18, 0.45NS | ¥304.70880 | 527 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,437.67042 | 添加到BOM 立即询价 | ||
DDR SRAM, 1MX18, 0.45NS | ¥304.70880 | 494 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,437.67042 | 添加到BOM 立即询价 | ||
DDR SRAM, 512KX36, 0.45NS | ¥304.70880 | 467 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,437.67042 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥14.39794 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.39794 | 立即购买 加入购物车 |