久芯网

品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片
品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
R1EX24002ATAS0A#S0
R1EX24002ATAS0A#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥4.05602

11541

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,161.86079

添加到BOM
立即询价
R1EX24002ATAS0A#U0
R1EX24002ATAS0A#U0
EEPROM, 256X8, SERIAL

¥4.05602

8700

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,161.86079

添加到BOM
立即询价
R1EX24002ASAS0I#S1
R1EX24002ASAS0I#S1
EEPROM, 256X8, SERIAL

¥4.05602

550

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,161.86079

添加到BOM
立即询价
UPD44644362AF5-E40-FQ1
UPD44644362AF5-E40-FQ1
72-MBIT DDR II SRAM

¥518.30192

6512

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

添加到BOM
立即询价
R1EX24002ASAS0A#S0
R1EX24002ASAS0A#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOP

¥4.05602

2300

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,161.86079

添加到BOM
立即询价
UPD44645182AF5-E33-FQ1-A
UPD44645182AF5-E33-FQ1-A
STANDARD SRAM, 4MX18, 0.45NS

¥518.30192

3326

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

添加到BOM
立即询价
71V416S10PHGI
71V416S10PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥63.37538

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥63.37538

添加到BOM
立即询价
UPD44646363AF5-E25-FQ1
UPD44646363AF5-E25-FQ1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥518.30192

4533

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

添加到BOM
立即询价
M3008316035NX0IBCY
M3008316035NX0IBCY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)

¥213.66555

138

5-7 工作日

- +

合计: ¥213.66555

添加到BOM
立即询价
UPD44647366AF5-E25-FQ1
UPD44647366AF5-E25-FQ1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥518.30192

3567

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

添加到BOM
立即询价
UPD44647186AF5-E25-FQ1
UPD44647186AF5-E25-FQ1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥518.30192

2059

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

添加到BOM
立即询价
UPD44647186AF5-E22-FQ1
UPD44647186AF5-E22-FQ1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥518.30192

1443

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

添加到BOM
立即询价
UPD44646363AF5-E25-FQ1-A
UPD44646363AF5-E25-FQ1-A
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥518.30192

1453

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,591.50962

添加到BOM
立即询价
HN58C257AT85E
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR

¥101.25574

101

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,227.62632

添加到BOM
立即询价
RMLV0408EGSA-4S2#AA1
RMLV0408EGSA-4S2#AA1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥96.25814

126

5-7 工作日

- +

合计: ¥96.25814

添加到BOM
立即询价
RMLV0408EGSB-4S2#AA1
RMLV0408EGSB-4S2#AA1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥88.72553

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥88.72553

添加到BOM
立即询价
R1EX24016ASAS0I#S1
R1EX24016ASAS0I#S1
EEPROM, 2KX8, SERIAL

¥3.98360

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥657.29318

添加到BOM
立即询价
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥88.72553

342

5-7 工作日

- +

合计: ¥88.72553

添加到BOM
立即询价
R1LP0408DSB-5SI#B1
R1LP0408DSB-5SI#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥102.05246

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥102.05246

添加到BOM
立即询价
UPD431000AGW-80Y-E2
UPD431000AGW-80Y-E2
MEMORY / SRAM

¥55.62547

441000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,225.01888

添加到BOM
立即询价
会员中心 微信客服
客服
回到顶部