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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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7025L20JGI
7025L20JGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-PLCC (29.31x29.31)

¥347.25318

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R1LV0108ESF-5SI#S1
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥37.80794

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合计: ¥37.80794

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R1EX24064ASAS0I#S1
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EEPROM, 8KX8, SERIAL

¥18.54182

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合计: ¥2,187.93523

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R1EX24064ATA00A#S0
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EEPROM, 8KX8, SERIAL

¥18.54182

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70V9269L12PRFGI
70V9269L12PRFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 128-TQFP(14x20)

¥481.94257

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合计: ¥481.94257

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RMLV0416EGSB-4S2#AA0
RMLV0416EGSB-4S2#AA0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥96.40300

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合计: ¥1,542.44798

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R1LV1616RBG-7SI#B0
R1LV1616RBG-7SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7.5x8.5)

¥260.38226

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5-7 工作日

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合计: ¥260.38226

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RMLV0416EGSB-4S2#HA0
RMLV0416EGSB-4S2#HA0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥96.40300

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71V35761S200PFG
71V35761S200PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥64.66896

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2-3 工作日

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7052L20PFG
7052L20PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 120-TQFP(14x14)

¥578.78014

20

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合计: ¥578.78014

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R1LP5256ESA-5SI#B1
R1LP5256ESA-5SI#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥20.88227

0

2-3 工作日

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R1LP0108ESA-5SI#B1
R1LP0108ESA-5SI#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥14.78679

4

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合计: ¥14.78679

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R1LV0408DSP-5SI#S0
R1LV0408DSP-5SI#S0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥19.41097

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合计: ¥19.41097

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RMLV0416EGBG-4S2#AC0
RMLV0416EGBG-4S2#AC0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7.5x8.5)

¥88.72553

0

5-7 工作日

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合计: ¥88.72553

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R1LP0108ESF-5SI#S1
R1LP0108ESF-5SI#S1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥27.72392

0

2-3 工作日

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合计: ¥27.72392

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R1LP0108ESP-7SR#B0
R1LP0108ESP-7SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥33.60706

0

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合计: ¥33.60706

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R1LP0108ESF-7SR#B0
R1LP0108ESF-7SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP (8x20)

¥33.60706

0

5-7 工作日

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合计: ¥436.89173

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R1EX24256ASAS0A#S0
R1EX24256ASAS0A#S0
EEPROM, 32KX8, SERIAL

¥36.06964

62500

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R1EX24256BSAS0A#U0
R1EX24256BSAS0A#U0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOP

¥36.06964

14900

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合计: ¥2,200.24816

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7028L20PFGI
7028L20PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥873.56617

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