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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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71V416S12PHGI8
71V416S12PHGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥49.83405

0

5-7 工作日

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合计: ¥74,751.07350

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R1EX24004ASAS0I#S1
R1EX24004ASAS0I#S1
I2C SERIAL EEPROM 4K(512 X8)

¥2.96959

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合计: ¥742.39725

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RMLV1616AGBG-5S2#KC0
RMLV1616AGBG-5S2#KC0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7.5x8.5)

¥229.38264

1000

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合计: ¥229.38264

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R1LP0108ESP-5SI#B0
R1LP0108ESP-5SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥38.53223

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,811.01472

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RMLV1616AGBG-5S2#AC0
RMLV1616AGBG-5S2#AC0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7.5x8.5)

¥229.38264

1343

5-7 工作日

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合计: ¥229.38264

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HN58X2404STI#S0
HN58X2404STI#S0
TWO-WIRE SERIAL INTERFACE 2K EEP

¥9.41577

6000

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HN58X2402STI#S0
HN58X2402STI#S0
TWO-WIRE SERIAL INTERFACE 2K EEP

¥9.41577

3000

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合计: ¥2,184.45864

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71V416S10BE
71V416S10BE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥51.28553

0

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71V416S10BE8
71V416S10BE8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥51.28553

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71V416S10BEG
71V416S10BEG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥50.93929

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71V416S12BE
71V416S12BE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

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71V416S12BE8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥51.28553

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71V416S12BEG
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

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71V416S12BEG8
71V416S12BEG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

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71V416S15BE
71V416S15BE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥51.28553

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71V416S15BE8
71V416S15BE8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥51.28553

0

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71V416S15BEG
71V416S15BEG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥51.28553

0

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71V424L10PHG8
71V424L10PHG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥51.28553

0

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合计: ¥76,928.28900

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71V416S10BEG8
71V416S10BEG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

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7164L20YGI8
7164L20YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥43.78623

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