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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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71V424S15PHG
71V424S15PHG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥23.58320

63

2-3 工作日

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合计: ¥3,183.73214

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71V016SA12BFGI
71V016SA12BFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥20.43037

3835

2-3 工作日

- +

合计: ¥9,724.85469

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71V424S15PHGI
71V424S15PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥48.56502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,556.27784

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71V016SA20BFGI
71V016SA20BFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥32.53721

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15,487.71053

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71V016SA12BFGI8
71V016SA12BFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥32.53728

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥65,074.56000

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71V016SA20BFGI8
71V016SA20BFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥32.70540

0

2-3 工作日

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合计: ¥65,410.80400

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71V256SA15YGI8
71V256SA15YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥21.40929

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥21,409.28800

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AT45DB161E-MHD-T
AT45DB161E-MHD-T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 85 MHz 供应商设备包装: 8-UDFN (5x6)

¥17.04906

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥102,294.37200

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71V3556SA100BQGI8
71V3556SA100BQGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥53.58370

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥107,167.39600

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71V3577S80PFG
71V3577S80PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥26.39973

0

2-3 工作日

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合计: ¥3,801.56155

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71V3556SA100BQI8
71V3556SA100BQI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥53.58370

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥107,167.39600

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7164S20TPG
7164S20TPG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥21.45477

181

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,007.33672

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71V3557S75PFG8
71V3557S75PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥53.58370

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥53,583.69800

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71V547S100PFG8
71V547S100PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥44.14910

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥44,149.09700

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71V547S80PFG8
71V547S80PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥44.14910

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥44,149.09700

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71V547S100PFGI8
71V547S100PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥47.16640

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥47,166.40200

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71V547S80PFGI8
71V547S80PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥46.93110

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥46,931.09500

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71024S12TYGI8
71024S12TYGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥18.48612

0

2-3 工作日

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合计: ¥18,486.11900

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71024S20TYGI8
71024S20TYGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥18.38538

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥18,385.37700

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71V3557S80PFG8
71V3557S80PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥53.58370

0

5-7 工作日

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合计: ¥53,583.69800

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