AT45DB161E-MHD-T
- 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 85 MHz 供应商设备包装: 8-UDFN (5x6)
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 6000
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 17.04906 | 17.04906 |
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规格参数
- 存储类型 Non-Volatile
- 安装类别 表面安装
- 储存接口 串行外设接口
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 存储格式 FLASH
- 技术 闪光
- 访达时期 -
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TC)
- 部件状态 不适用于新设计
- 包装/外壳 8-UDFN Exposed Pad
- 供应商设备包装 8-UDFN (5x6)
- 电源电压 2.5伏~3.6伏
- 存储容量 16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
- 时钟频率 85 MHz
- 单字、单页写入耗时 8s, 4ms
AT45DB161E-MHD-T 产品详情
The serial-interface sequential access flash memory ideally suited for a wide variety of digital voice, image, program code, and data storage applications. It supports the Atmel RapidS™ serial interface for applications requiring very high speed operations and frequencies up to 66MHz. Its 16-Mbit main memory is organized as 4,096 pages of 512 or 528 bytes each. The flash memory also contains two SRAM buffers of 512- or 528-bytes each that receive data while a page in the main memory is reprogrammed, as well as writing a continuous data stream.
AT45DB161E-MHD-T所属分类:存储器,AT45DB161E-MHD-T 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AT45DB161E-MHD-T价格参考¥17.049062,你可以下载 AT45DB161E-MHD-T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AT45DB161E-MHD-T规格参数、现货库存、封装信息等信息!
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...