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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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品牌型号
描述
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操作
R1RW0408DGE-2PR#B1
R1RW0408DGE-2PR#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥116.11817

0

5-7 工作日

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合计: ¥12,772.99903

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6116SA25SOGI8
6116SA25SOGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOIC

¥33.62589

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥33,625.88800

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71V424S10PHGI8
71V424S10PHGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥54.43039

0

5-7 工作日

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合计: ¥81,645.59100

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71V016SA10BFG
71V016SA10BFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥31.20669

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5-7 工作日

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合计: ¥14,854.38301

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71V016SA12BFG
71V016SA12BFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥31.20669

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14,854.38301

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71V016SA20BFG
71V016SA20BFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥31.20669

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14,854.38301

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71V016SA12BFG8
71V016SA12BFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥31.20676

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥62,413.51800

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71V416L12BEGI
71V416L12BEGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥54.30232

0

2-3 工作日

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合计: ¥13,575.57925

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71V416L12BEGI8
71V416L12BEGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥54.94339

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥109,886.78800

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71V416L12PHGI8
71V416L12PHGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥54.67231

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥82,008.45900

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71V416L15BEGI
71V416L15BEGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥34.17673

487

2-3 工作日

- +

合计: ¥8,544.18125

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71V416L15BEGI8
71V416L15BEGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥54.67231

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥109,344.61200

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71V416L15PHGI8
71V416L15PHGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥34.57608

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥51,864.12600

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71V424L12YGI8
71V424L12YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥54.67231

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27,336.15300

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HN58V256AFPI12E
HN58V256AFPI12E
256K SERIAL EEPROM

¥125.73674

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥628.68372

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R1RW0404DGE-2PR#B0
R1RW0404DGE-2PR#B0
4M HIGH SPEED SRAM (1M X 4-BIT)

¥137.32538

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥137.32538

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71V30L25TFG8
71V30L25TFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (10x10)

¥141.63998

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥70,819.99000

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71V30L25TFG
71V30L25TFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (10x10)

¥141.64005

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5-7 工作日

- +

合计: ¥39,659.21456

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71342LA20JG
71342LA20JG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥174.17726

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥41,802.54216

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71342LA20JG8
71342LA20JG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥174.17726

0

5-7 工作日

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合计: ¥69,670.90360

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