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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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7134LA20JG
7134LA20JG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥174.17726

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合计: ¥41,802.54216

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7134LA20JG8
7134LA20JG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥174.17726

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5-7 工作日

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合计: ¥69,670.90360

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71V3558S100PFGI8
71V3558S100PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥68.21943

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5-7 工作日

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合计: ¥68,219.42700

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71V424L10PHG
71V424L10PHG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥31.99076

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合计: ¥4,318.75247

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71V3558S133PFGI8
71V3558S133PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥68.56364

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2-3 工作日

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71V3579S75PFGI8
71V3579S75PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥68.56364

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合计: ¥68,563.63800

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71V3579S80PFGI8
71V3579S80PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥68.56364

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2-3 工作日

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合计: ¥68,563.63800

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7164L20TDB
7164L20TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥187.24055

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥31,643.65363

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71V016SA15PHG8
71V016SA15PHG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥16.87596

0

5-7 工作日

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合计: ¥16.87596

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7164L25TDB
7164L25TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥187.24055

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥31,643.65363

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7130LA20TFG8
7130LA20TFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (10x10)

¥142.60763

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5-7 工作日

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合计: ¥142,607.63100

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71V424S10PHGI
71V424S10PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥55.75048

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5-7 工作日

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合计: ¥7,526.31534

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7164L35TDB
7164L35TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥187.24055

0

5-7 工作日

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合计: ¥31,643.65363

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70V261L25PFG
70V261L25PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥473.75809

0

5-7 工作日

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合计: ¥473.75809

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71V3579S85PFGI8
71V3579S85PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥68.21943

0

5-7 工作日

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合计: ¥68,219.42700

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71V546S100PFGI8
71V546S100PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥68.21943

0

5-7 工作日

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合计: ¥68,219.42700

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71V546S133PFGI8
71V546S133PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥68.21943

0

5-7 工作日

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合计: ¥68,219.42700

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71V3556SA166BGI
71V3556SA166BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥67.75441

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2-3 工作日

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合计: ¥11,382.74105

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7164L45TDB
7164L45TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥187.24055

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5-7 工作日

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合计: ¥31,643.65363

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71V2556S100PFGI
71V2556S100PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥68.21957

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