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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V67603S133BQG
71V67603S133BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

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合计: ¥44,744.18278

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M30042040108X0IWAR
M30042040108X0IWAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥73.29960

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5-7 工作日

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合计: ¥293,198.38800

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71V65803S100BGGI
71V65803S100BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.86221

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5-7 工作日

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合计: ¥45,325.27717

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71V67603S150BQ
71V67603S150BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥103.08717

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合计: ¥28,039.71133

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71342LA20PFG8
71342LA20PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥191.23204

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71V65803S100BGGI8
71V65803S100BGGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.86221

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合计: ¥179,862.21100

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71V67603S150BQG
71V67603S150BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

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5-7 工作日

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合计: ¥44,744.18278

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71V3556S166PFGI
71V3556S166PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥52.00402

175

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合计: ¥208.01609

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71V65803S100BGI
71V65803S100BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥178.62909

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合计: ¥45,014.52967

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71V67703S75BQ
71V67703S75BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥163.37988

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合计: ¥44,439.32654

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71V3556S166PFGI8
71V3556S166PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥65.80030

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合计: ¥65,800.29800

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71V65803S100BGI8
71V65803S100BGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.86221

0

5-7 工作日

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合计: ¥179,862.21100

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71V67703S75BQG
71V67703S75BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥163.37988

0

2-3 工作日

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合计: ¥44,439.32654

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71V65803S100BQI
71V65803S100BQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥178.62909

0

2-3 工作日

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合计: ¥48,587.11139

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71024S20YG8
71024S20YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥19.69471

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2-3 工作日

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合计: ¥19.69471

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7140LA20JG
7140LA20JG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥117.81149

0

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合计: ¥28,274.75760

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71V25761S166PFG
71V25761S166PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥47.50271

0

2-3 工作日

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合计: ¥6,840.38952

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M10042040108X0IWAR
M10042040108X0IWAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥73.22983

0

2-3 工作日

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合计: ¥292,919.33200

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71V65803S133BGGI
71V65803S133BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥178.62909

0

2-3 工作日

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合计: ¥45,014.52967

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71V67703S80BQ
71V67703S80BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

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合计: ¥44,744.18278

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