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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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7130LA20JG8
7130LA20JG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥118.39944

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合计: ¥47,359.77600

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M10042040108X0ISAR
M10042040108X0ISAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥73.29960

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合计: ¥146,599.19400

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71V65803S133BGGI8
71V65803S133BGGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥180.75199

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2-3 工作日

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71V35761S166PFG
71V35761S166PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥38.72837

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合计: ¥5,576.88470

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71V67703S80BQG
71V67703S80BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥163.37988

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合计: ¥44,439.32654

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7140LA20JG8
7140LA20JG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥117.81156

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5-7 工作日

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合计: ¥47,124.62520

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71V65803S133BGI
71V65803S133BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥178.62909

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合计: ¥45,014.52967

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71256SA20PZGI8
71256SA20PZGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP

¥13.54712

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5-7 工作日

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合计: ¥27,094.24000

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71V67703S85BQ
71V67703S85BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥163.37988

0

2-3 工作日

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合计: ¥44,439.32654

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71V65803S133BGI8
71V65803S133BGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥180.75199

0

2-3 工作日

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合计: ¥180,751.99400

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71V67703S85BQG
71V67703S85BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

65

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合计: ¥44,744.18278

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71V65803S133BQI
71V65803S133BQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥237.03009

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2-3 工作日

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合计: ¥64,472.18394

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71V67803S133BQ
71V67803S133BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

0

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合计: ¥22,372.09139

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R1LV0108ESA-5SI#B0
R1LV0108ESA-5SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥47.87557

1

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合计: ¥47.87557

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71V65803S133BQI8
71V65803S133BQI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

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5-7 工作日

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合计: ¥359,724.42200

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71V67803S150BQ
71V67803S150BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

0

5-7 工作日

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合计: ¥22,372.09139

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71V3578S133PFGI
71V3578S133PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥73.42041

26

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合计: ¥10,572.53875

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71V65803S150BGI
71V65803S150BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.86221

0

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合计: ¥45,325.27717

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71V67903S75BQ
71V67903S75BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

0

5-7 工作日

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合计: ¥22,372.09139

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71V3578S150PFGI
71V3578S150PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥35.30124

200

2-3 工作日

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合计: ¥5,083.37784

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