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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V67603S133BQ
71V67603S133BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥163.37988

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71016S15YG
71016S15YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥25.13286

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合计: ¥25.13286

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71V65703S80BQGI8
71V65703S80BQGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥180.75199

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71V2556SA100BGGI8
71V2556SA100BGGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥73.17864

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71V65703S80BQI
71V65703S80BQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

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71V67903S80PFG8
71V67903S80PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥69.67090

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71V65703S80BQI8
71V65703S80BQI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

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71V2556SA100BGGI
71V2556SA100BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥73.17871

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71V65703S85BGI
71V65703S85BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.86221

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M10042040054X0ISAY
M10042040054X0ISAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥69.19421

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合计: ¥10,379.13075

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71V65703S85BGI8
71V65703S85BGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.86221

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M30042040108X0IWAY
M30042040108X0IWAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥72.79895

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71V65703S85BQGI
71V65703S85BQGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

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5-7 工作日

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合计: ¥48,922.52139

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M10042040108X0IWAY
M10042040108X0IWAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥72.79895

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71V65703S85BQGI8
71V65703S85BQGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

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5-7 工作日

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M30042040108X0ISAY
M30042040108X0ISAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥72.79895

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71V65703S85BQI
71V65703S85BQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

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5-7 工作日

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合计: ¥48,922.52139

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M10042040108X0ISAY
M10042040108X0ISAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥72.79895

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合计: ¥10,919.84190

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71V65703S85BQI8
71V65703S85BQI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

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合计: ¥359,724.42200

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M30042040108X0ISAR
M30042040108X0ISAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥73.22983

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