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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V65703S80BQ8
71V65703S80BQ8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50075

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合计: ¥329,001.49000

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71V65703S80BQG8
71V65703S80BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥165.31362

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合计: ¥330,627.23000

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71V65703S85BG8
71V65703S85BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50075

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合计: ¥164,500.74500

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71V65703S85BQ8
71V65703S85BQ8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50075

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71V3577S75PFGI
71V3577S75PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥51.04282

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71V65703S85BQG8
71V65703S85BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50075

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6116LA20SOGI
6116LA20SOGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOIC

¥35.28299

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合计: ¥10,937.72721

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71V016SA20BFI
71V016SA20BFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥28.73729

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71V547S100PFGI
71V547S100PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥48.06924

179

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合计: ¥6,921.97114

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6116LA25SOGI
6116LA25SOGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOIC

¥35.28299

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71V547S80PFGI
71V547S80PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥48.06924

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合计: ¥6,921.97114

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M30082040054X0PSAY
M30082040054X0PSAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥152.52584

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M10082040054X0PSAY
M10082040054X0PSAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥151.48318

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M30082040054X0PSAR
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥152.38700

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2-3 工作日

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M10082040054X0PSAR
M10082040054X0PSAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥152.38700

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2-3 工作日

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71V65803S100BG8
71V65803S100BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50075

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5-7 工作日

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合计: ¥164,500.74500

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M30082040054X0PWAY
M30082040054X0PWAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥151.48318

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71V65803S100BGG8
71V65803S100BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥165.31362

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M10082040054X0PWAY
M10082040054X0PWAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥151.48318

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71V65803S100BQG8
71V65803S100BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

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