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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V65803S133BG8
71V65803S133BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50075

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合计: ¥164,500.74500

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71V321L35JG
71V321L35JG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥131.23773

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5-7 工作日

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71V321L35JG8
71V321L35JG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥131.89357

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合计: ¥52,757.42840

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71321LA20JG8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥153.77424

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合计: ¥61,509.69680

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7132LA20JG8
7132LA20JG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥153.00988

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合计: ¥61,203.95360

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71421LA20JG
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥153.00988

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71421LA20JG8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥153.00988

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合计: ¥61,203.95360

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7142LA20JG
7142LA20JG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥153.00988

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合计: ¥36,722.37216

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7142LA20JG8
7142LA20JG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥153.00988

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合计: ¥61,203.95360

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7142LA25JGI
7142LA25JGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥153.00988

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5-7 工作日

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合计: ¥36,722.37216

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71V416S15BEG8
71V416S15BEG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥51.28553

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合计: ¥102,571.05200

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71V65803S133BGG8
71V65803S133BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50075

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5-7 工作日

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合计: ¥164,500.74500

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71V30L35TFGI8
71V30L35TFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (10x10)

¥143.21241

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5-7 工作日

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合计: ¥71,606.20650

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71V2546S133BG
71V2546S133BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥48.31702

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5-7 工作日

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合计: ¥8,117.26003

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71V2546S150BG
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥47.98614

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合计: ¥8,061.67135

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71V3559S80BG
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥48.31702

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5-7 工作日

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合计: ¥8,117.26003

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71V3559S85BG
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥48.31702

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5-7 工作日

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合计: ¥8,117.26003

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71V65803S133BQG8
71V65803S133BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50075

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合计: ¥329,001.49000

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71V2546S100BG
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥48.31702

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71V65803S150BG8
71V65803S150BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50075

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合计: ¥164,500.74500

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