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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V67903S80BQI8
71V67903S80BQI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

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合计: ¥359,724.42200

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M10082040108X0PSAR
M10082040108X0PSAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥160.35316

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2-3 工作日

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合计: ¥320,706.31200

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71V67903S85BQI8
71V67903S85BQI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

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5-7 工作日

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合计: ¥359,724.42200

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M10082040108X0PWAR
M10082040108X0PWAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥160.35316

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合计: ¥641,412.62400

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71V321L25PFG
71V321L25PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥178.75520

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合计: ¥48,263.90373

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M30082040108X0PSAY
M30082040108X0PSAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥159.40731

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合计: ¥23,911.09590

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71V321L35PFGI
71V321L35PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥179.98310

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合计: ¥48,595.43565

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M10082040108X0PSAY
M10082040108X0PSAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥159.40731

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2-3 工作日

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合计: ¥23,911.09590

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71321LA25PFGI8
71321LA25PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥179.98317

0

5-7 工作日

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合计: ¥134,987.37600

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71V321L25PFG8
71V321L25PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥179.98317

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5-7 工作日

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合计: ¥134,987.37600

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71342LA25JGI8
71342LA25JGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥179.98317

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5-7 工作日

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合计: ¥71,993.26720

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M10082040054X0IWAY
M10082040054X0IWAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥121.08986

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2-3 工作日

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合计: ¥27,245.21828

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71V321L35PFGI8
71V321L35PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥179.98317

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥134,987.37600

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7134LA25JGI
7134LA25JGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥178.87080

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2-3 工作日

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合计: ¥42,928.99272

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M30082040054X0ISAR
M30082040054X0ISAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥121.81501

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2-3 工作日

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合计: ¥243,630.02200

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7134LA25JGI8
7134LA25JGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥180.99371

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合计: ¥72,397.48480

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X28HC64JZ-70
X28HC64JZ-70
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC(13.97x11.43)

¥161.91141

0

5-7 工作日

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合计: ¥9,714.68448

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M30082040054X0ISAY
M30082040054X0ISAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥121.08986

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2-3 工作日

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合计: ¥18,163.47885

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71V35761SA200BQG8
71V35761SA200BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥96.15094

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合计: ¥192,301.87800

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M10082040054X0ISAR
M10082040054X0ISAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥121.81501

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2-3 工作日

- +

合计: ¥243,630.02200

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