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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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71V016SA12YGI8
71V016SA12YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥29.74572

0

5-7 工作日

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合计: ¥14,872.86050

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71V67803S133BQG
71V67803S133BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥180.82965

0

5-7 工作日

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合计: ¥24,592.83186

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M30082040054X0IWAR
M30082040054X0IWAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥121.81501

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2-3 工作日

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合计: ¥487,260.04400

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71V3556S100PFGI
71V3556S100PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥62.05050

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合计: ¥8,935.27258

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71V67803S150BQI
71V67803S150BQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥180.82965

0

5-7 工作日

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合计: ¥24,592.83186

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71V3556S133PFGI
71V3556S133PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥62.05050

556

5-7 工作日

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合计: ¥8,935.27258

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70V657S12BFGI
70V657S12BFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.125Mb(32K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥954.46589

0

5-7 工作日

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合计: ¥20,043.78359

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R1EX25512ATA00A#S0
R1EX25512ATA00A#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 5 MHz 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥10.93678

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5-7 工作日

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合计: ¥10.93678

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71V65703S75BGG8
71V65703S75BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥181.72937

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2-3 工作日

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合计: ¥181,729.37300

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71T75602S133PFG8
71T75602S133PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥210.40966

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2-3 工作日

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合计: ¥210,409.65600

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70V657S12BFI
70V657S12BFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.125Mb(32K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥954.46589

0

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合计: ¥20,043.78359

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70V658S10BF
70V658S10BF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,385.34948

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,385.34948

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71V016SA20YGI8
71V016SA20YGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥29.74572

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14,872.86050

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71V65703S80BGG8
71V65703S80BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥181.72937

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥181,729.37300

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71T75602S100BGGI8
71T75602S100BGGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥271.66814

0

5-7 工作日

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合计: ¥271,668.14200

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71V3559S80PFGI
71V3559S80PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥62.05050

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,935.27258

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70V658S10BFG
70V658S10BFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,176.38556

0

2-3 工作日

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合计: ¥24,704.09676

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71V65703S85BGG8
71V65703S85BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥180.82986

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥180,829.86300

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71T75602S100BGI8
71T75602S100BGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥271.66814

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥271,668.14200

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71V3556S100PFGI8
71V3556S100PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥62.05065

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合计: ¥62,050.64900

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