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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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70V06L20PFGI
70V06L20PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP

¥347.62864

0

5-7 工作日

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合计: ¥31,286.57715

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70V657S12BFGI8
70V657S12BFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.125Mb(32K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥959.17629

0

2-3 工作日

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合计: ¥959,176.29100

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71V65803S150PFG
71V65803S150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥122.52872

271

5-7 工作日

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合计: ¥26,466.20330

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71V65903S80BGI8
71V65903S80BGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥181.72937

0

2-3 工作日

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合计: ¥181,729.37300

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70V06L15JG8
70V06L15JG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥347.62878

0

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合计: ¥86,907.19500

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70V27L15PFG
70V27L15PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥666.85380

700

5-7 工作日

- +

合计: ¥666.85380

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70V657S12BFI8
70V657S12BFI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.125Mb(32K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥954.46719

0

5-7 工作日

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合计: ¥954,467.18900

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71V65603S150PFG8
71V65603S150PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥122.52886

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥122,528.86400

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70V3589S166BC
70V3589S166BC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,184.64720

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥56,863.06574

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70V27L20PFGI
70V27L20PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥666.85380

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥666.85380

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70V06L20JGI8
70V06L20JGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥347.62878

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥86,907.19500

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7132LA55L48B
7132LA55L48B
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-LCC (14.22x14.22)

¥954.46726

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥32,451.88691

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71T75802S133BGGI8
71T75802S133BGGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥273.01444

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥273,014.43800

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71V67602S133BGG8
71V67602S133BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥180.82986

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥180,829.86300

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71V35761SA200BQG
71V35761SA200BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥95.67661

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13,012.01882

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71V65803S150PFG8
71V65803S150PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥123.13920

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥123,139.20100

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70V06L20PFGI8
70V06L20PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP

¥347.62878

0

5-7 工作日

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合计: ¥260,721.58500

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70V3589S166BCG
70V3589S166BCG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,176.51167

0

2-3 工作日

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合计: ¥56,472.56035

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70V35L15PFG8
70V35L15PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Kb (8K x 18) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥347.62878

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥260,721.58500

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70V3399S166BC8
70V3399S166BC8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,190.48924

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合计: ¥1,190,489.23900

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