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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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品牌型号
描述
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7024L70GB
7024L70GB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-PGA (27.94x27.94)

¥2,409.93700

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合计: ¥50,608.67696

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70T3599S200BC
70T3599S200BC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,488.00550

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合计: ¥26,784.09891

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71T75802S150BGGI
71T75802S150BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥269.80906

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2-3 工作日

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合计: ¥22,663.96070

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71V3556SA133BQ
71V3556SA133BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥62.77624

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合计: ¥8,537.56891

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70T651S12BFGI8
70T651S12BFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥2,097.14258

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合计: ¥2,097,142.58300

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71V67703S80BGG
71V67703S80BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥180.82994

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合计: ¥45,569.14362

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5962-9166202MXA
5962-9166202MXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-PGA (27.94x27.94)

¥2,409.93700

0

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合计: ¥50,608.67696

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5962-8687514XA
5962-8687514XA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥954.70838

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5-7 工作日

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合计: ¥38,188.33512

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70V3569S5BF
70V3569S5BF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 576Kb (16K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥650.15718

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5-7 工作日

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合计: ¥13,653.30078

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71V67703S85BGG
71V67703S85BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥179.59596

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2-3 工作日

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合计: ¥45,258.18066

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70V3579S4DRG
70V3579S4DRG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.125Mb(32K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥954.95073

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合计: ¥45,837.63480

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70T3599S200BCG
70T3599S200BCG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA

¥1,477.77551

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合计: ¥26,599.95913

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7143LA55GB
7143LA55GB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (2K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PGA (29.46x29.46)

¥2,107.05963

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5-7 工作日

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合计: ¥44,248.25231

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71256L100DB
71256L100DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥229.57545

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5-7 工作日

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合计: ¥29,844.80837

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70T3339S133BC
70T3339S133BC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,754.23038

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5-7 工作日

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合计: ¥42,101.52912

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70T3319S200BC8
70T3319S200BC8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,488.00600

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5-7 工作日

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合计: ¥1,488,006.00200

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70T3339S133BF
70T3339S133BF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,754.23038

0

5-7 工作日

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合计: ¥36,838.83798

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71V3556SA133BQG
71V3556SA133BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥62.77624

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,537.56891

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70T3599S200BC8
70T3599S200BC8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,495.34730

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合计: ¥1,495,347.30400

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71V67803S133PFGI8
71V67803S133PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥182.03943

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